铜纳米线阵列显微结构的表征和控制.pdfVIP

牛 高等：铜纳米线阵列显微结构的表征和控制 铜纳米线阵列显微结构的表征和控制。 牛 高，谭秀兰，韩尚君，罗江山 (中国工程物理研究院激光聚变研究中心，四川绵阳621900) 摘要： 采用多孔氧化铝(AAO)模板脉冲电沉积法 2 实 验 制备了强辐射源用铜纳米线阵列材料，并用扫描电子 显微镜(SEM)、能谱(EDS)和X射线衍射(XRD)对其2．1铜纳米线阵列的制备 进行了结构袁征。结果表明电沉积的峰值电流强度和 辅助阴极可以影响铜纳米线的表面质量、长度分布均 圆片状多孔AA0模板。在通孔AAo模板的一面热 匀性和微区长度起伏。减小峰值电流强度，可以明显 蒸发一层约l肚m厚的铜膜作为电沉积的阴极。电沉 改善单根铜纳米线的表面质量，但是对铜纳米线阵列 长度分布均匀性和微区长度起伏影响程度有限。添加 除AAo模板，用无水乙醇清洗晾干后得到铜纳米线 辅助阴极，不仅可以改善单根铜纳米线的表面质量，还 阵列材料。 可以显著提高铜纳米线阵列长度分布均匀性，并改善 利用示波器和串联在电路中的1012标准取样电 其微区长度起伏情况。 阻来监测脉冲电沉积参数。直流脉冲电沉积工艺参数 关键词： 显微结构；铜纳米线阵列；电沉积；阳极氧化 铝 中图分类号：TB383 文献标识码：A 内径20mm的不锈钢环。做以下3组实验：18样品， 文章编号：1001—9731(2011)增刊IV一659-03无辅助阴极，脉冲峰值电流为0．3A；28样品，无辅助 阴极，脉冲峰值电流为0．15A；34样品，有辅助阴极， 1 引 言 脉冲峰值电流为0．3A。 受惯性约束聚变“快点火”相关研究和高时空分 辨强辐射源(背光照相光源)需求的驱动，超短超强脉 冲激光与物质的相互作用成为近年的研究热点[1-]。 相关研究表明，与普通固体靶材料相比，类似天鹅绒的 乳化剂，其余为二次去离子水。 金属纳米线阵列靶，具有局部的近固态密度和宏观的 2．2显微结构表征 低密度，在产生较高X射线增益的同时并不显著延长 用扫描电子显微镜(SEM)表征铜纳米线阵列的形 X射线脉宽。是最具潜力的高时空分辨X射线强辐射 貌、纳米线长度及其分布等显微结构参数。在SEM测 源材料之一【5]。 量铜纳米线长度及其在AA0模板径向上的分布时先 目前人们已经采用模板沉积法[6J]、磁控溅射不去除AAO模板，以免材料因去除AA0模板发生卷 法[8]、化学气相沉积法[9]、液相法等rl们制备出了金属曲影响测量点在材料直径方向上的精确定位；在表征 纳米线阵列材料，其中阳极氧化铝模板(AAO)电沉积铜纳米线形貌和显微结构时再去掉AAO模板进行观 法是最常用的方法之一。但是相关的研究主要集中在 制备出纳米线阵列结构，并表征其优异的磁学【6’7]、光 和成份分析。 学与电学等方面的性能，但对于制备纳米器件(强辐射 3结果与讨论 源靶)所涉及的材料显微结构的精确表征和控制却很 少有人关注。 3．1显微形貌表征及分析 根据强辐射源物理实验对靶材料显微结构的精密 要求，研究了峰值电流强度和脉冲电沉积辅助阴极对 和用其制备出的铜纳米线阵列(右上角小图)的SEM 单根铜纳米线表面质量和铜纳米线阵列长度分布均匀 显微图片。从图中可以看出商用AAo模板上各个孔 性的影响。制备出了纳米线表面质量优良，长度分布 并非呈整齐的六角形排列，但各个孔腔基本平行排布， 均匀性好的铜纳米线阵列材料；为微孔纳米电沉积机 可以制备出平行排布的铜纳米线阵列；去除AAo模 理的研究和纳