一种K波段双桥电容式RF MEMS开关的设计和制作.pdfVIP

第 26 卷 　第 7 期 半 　导 　体 　学 　报 Vol . 26 　No . 7 2005 年 7 月 C H IN ESE J OU RNAL O F SEM ICONDU C TOR S J uly ,2005 一种 K 波段双桥电容式 RF MEMS 开关的 设计与制作 雷啸锋 　刘泽文 　宣 　云 　韦 　嘉 　李志坚 　刘理天 (清华大学微电子学研究所 , 北京 　100084) 摘要 : 介绍了一种 K 波段双桥结构的电容式 RF M EM S 开关. 该开关的结构特点是 , 以共面波导上的悬空金属膜 为双桥结构 ,并且膜桥的支撑呈折叠弹簧结构. 使用 A gilent AD S 软件对该开关进行了设计和优化 ,结果表明 ,相比 传统电容式单桥开关 ,该开关隔离度性能得到了很大提高. 利用表面微机械工艺 ,在高阻硅衬底上制备了开关样 品. 双桥开关的在片测试结果表明:驱动电压为 195V ,“开”态的插入损耗约 16dB @196 GHz ,“关”态的隔离度约 460dB @196 GHz . 关键词 : RF M EM S ; 开关 ; 双桥结构 ; 高隔离度 PACC : 2220 ; 2570 ; 3220D 中图分类号 : TN 304 　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : 02534 177 (2005) 能. 1 　引言 图 1 为我们设计的双桥电容式开关的剖面示意 图和俯视图. 开关由衬底 、共面波导 、介质层和最上 射频微机械开关在雷达 、卫星通信 、无线通信 、 层的悬空金属膜组成. “开”态时 ,微波信号通过共面 测试 仪 器 等 系 统 中有 很 好 的应 用 前 景[ 1 ] . R F M EM S 开关通常可分为电容耦合式[2 ,3 ] 和电阻接触 式两大类[4～6 ] . 一般来说 , 电阻接触式开关适用于 1 ～10 GHz 频段内,为了获得较低的插入损耗 ,要求 开关接触部分的电阻须控制在 05Ω以内,这使得 开关的制作工艺变得复杂 ,并且存在产生高压电弧 等导致器件失效的可能因素[ 7 ] . 另外 , 电阻接触式开 关在大功率传输上有一定的限制[ 8 ] . 电容耦合式开关具有良好的高频特性 、寿命长 、 可靠性高 ,而且制作工艺较为简单 , 易于产品化. 传 统桥式电容开关的隔离性能与“关”态电容密切相 关 ,高的“关”态电容可以获得高隔离度. 但大部分开 关以氮化硅作为介质 ,在 30 GHz 以上才有较好的隔 离性能. 近年来对 以B ST , Ta O 等高介 电常数材 2 5 料作开关介质的报道较多[9 ] ,开关性能较好 ,但是工 艺复杂 、兼容性差. ( ) 图 1 　双桥折叠弹簧开关结构示意图　 a 开关的横截面图; 本文主要讨论一种高性能双桥电容开关的设计 (b) 开关的俯视图 ( ) 和制作. 通过引入折叠弹簧结构 ,采用双桥结构等方