第三讲 版图设计规则 .ppt

1、以?为单位也叫做“规整格式” 2、以微米为单位也叫做“自由格式” 80年代中期，为适应VLSI MOS电路制造工艺，发展了以微米为单位的绝对值表示的版图规则。针对一些细节进行具体设计，灵活性大，对电路性能的提高带来很大方便。 适用于有经验的设计师以及力求挖掘工艺潜能的场合。目前一般的MOS IC研制和生产中，基本上采用这类规则。其中每个被规定的尺寸之间没有必然的比例关系。显然，在这种方法所规定的规则中，对于一个设计级别，就要有一整套数字，因而显得烦琐。但由于各尺寸可相对独立地选择，所以可把尺寸定得合理。 版图设计规则 (一)、设计的类型 ? Minimum Width ? Exact Width ? Not Exist ? Spacing ? Surround ? Overlap ? Extension ? Density 版图设计规则 版图设计规则 版图设计规则 版图设计规则 版图设计规则 版图设计规则 版图设计规则 版图设计规则的应用 版图设计规则的应用 版图设计规则的应用 3. 版图设计的准备工作 在进行版图设计以前，必须进行充分的准备工作。一般包括以下几方面。 ①了解工艺现状，确定工艺路线 确定选用标准pn结隔离或对通隔离工艺或等平面隔离工艺。由此确定工艺路线及光刻掩膜版的块数。 由制版和光刻工艺水平确定最小接触孔的尺寸和光刻套刻精度。光刻工艺的分辨率，即能刻蚀图形的最小宽度，受到掩膜分辨率、光刻胶分辨率、胶膜厚度、横向腐蚀等多因素的限制。套刻精度与光刻机的精度和操作人员的熟练程度关系密切。 要了解采用的管壳和压焊工艺。封装形式可分为金属圆筒塑(TO-5型)、扁平封装型和双列直插型(DIP)等多种，管芯压点分布必须和管壳外引脚排列相吻合。当采用热压焊时，压焊点的面积只需70μm×70μm，超声压焊需100μm×100μm ~125μm×25μm，金丝球焊需125μm ×125μm，金丝球焊牢固程度高，金丝在靠近硅片压点处是垂直的，可压到芯片纵深处(但必须使用温度SiO2纯化层)，使用起来很灵活。 ②解剖同类型的IC的产品 解剖同类型IC产品，可作为自己设计和生产的借鉴。解剖工作包括版图分析和基本尺寸的测量，元件性能测试和工艺解剖和分析三个方面。通过版图分析和基本尺寸的测量可获得实际的线路图和逻辑功能图，可了解到版图布局，还可取得各种元件尺寸的数据以了解其它单位或国外制版和光刻水平。但应注意“侵权”问题。 （1）芯片面积降低10%，管芯成品率/圆片 可提高15?20%。 （2）多用并联形式，如或非门，少用串联形式，如与非门。 （3）大跨导管采用梳状或马蹄形，小跨导管采用条状图形，使图形排列尽可能规整。 5、双层金属布线时的优化方案 （1）全局电源线、地线和时钟线用第二层金属线。 （2）电源支线和信号线用第一层金属线（两层金属之间用通孔连接）。 （3）尽可能使两层金属互相垂直，减小交叠部分得面积。 1. 阱——做N阱和P阱封闭图形处，窗口注入形成P管和N管的衬底 2. 有源区——做晶体管的区域（G、D、S、B区)，封闭图形处是氮化硅掩蔽层，该处不会长场氧化层 3. 多晶硅——做硅栅和多晶硅连线。封闭图形处，保留多晶硅 4. 有源区注入——P+、N+区（select)。做源漏及阱或衬底连接区的注入 5. 接触孔——多晶硅，注入区和金属线1接触端子。 6. 金属线1——做金属连线，封闭图形处保留铝 7. 通孔——两层金属连线之间连接的端子 8. 金属线2——做金属连线，封闭图形处保留铝 版图验证 版图检查和验证主要包括对版图进行几何设计规则检查DRC （Design Rule Check）、电学规则检查ERC（Electrical Rule Check）、版图与原理图一致性检查LVS（Layout Versus Schematic） LVS是指从版图中提取出网表，与逻辑/电路设计得到的网表进行比较，检查两者是否一致。 然后，进行后仿真（post simulation） 后仿真 将版图中的参数提取出来后，再进行模拟仿真，与前仿真对比。 版图输出数据 1、GDSⅡ格式 2、CIF格式 3、EDIF格式 4、Oasis格式 3.7.2 棒形图 1. 有源区和场区是互补的，晶体管做在有源区处，金属和多晶连线多做在场区上。 2. 有源区和P+,N+注