五纳米材料在电子信息领域的应用1.pptVIP

第五章;信息技术和产品发展的粮食;手机拍照;信息技术的研究内容及其支柱材料;超导材料;以一个简单的半导体电子组件为例，看电子材料的应用：;5.1 材料的电学性能与纳米电子材料5.2 材料的磁学性能与纳米磁性材料5.3 材料的光学性能与纳米光子材料;导电性能； 介电性能； 铁电与压电性； 静电； 超导。;基本概念：1）电导率和电阻率;决定电导率σ的两个基本参数;;能级（Energy Level）： 在孤立原子中，原子核外的电子按照一定的壳层排列，每一壳层容纳一定数量的电子。每个壳层上的电子具有分立的能量值，即电子按能级分布。在电子能级图上，用一条条高低不同的水平线表示。;电子的共有化： 晶体中大量的原子集合在一起且距离很近，致使离原子核较远的壳层发生交叠，使电子不再局限于某个原子上，有可能转移到相邻原子的相似壳层上去，也可能从相邻原子运动到更远的原子壳层上去。这样使本来处于同一能量状态的电子产生微小的能量差异，与此相对应的能级扩展为能带。 ;允许带：允许被电子占据的能带。 禁带：允许带之间的不允许电子占据的范围。 原子壳层中的内层允许带总是被电子先占满，然后再占据能量更高的外面一层的允许带。;固体理论提出：;半导体材料：电阻率介于典型的金属和典型的绝缘体之间的材料 。在一般的条件下就具有一定的导电能力，在外场作用下更显示出千变万化的传导特性，因而广泛应用于晶体管、二极管、整流器和太阳能电池等方面。; ;; 以硅集成电路而言，纳米粒子的宏观隧道效应确立了微电子器件微型化的极限。目前国际上最窄线宽已为130nm，在十年以内将达到极限(小于100nm) 。如果将硅器件做的更小，电子会隧穿通过绝缘层，造成电路短路。;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;（1）“从上到下” 的光刻法： ;“从上到下”的扫描探针法或SPM针尖法;（2）“从下到上”法：将分子或原子组装成纳米结构。 ;纳米尺度单电子 管的一个实例;“从下到上”法的纳米碳管------ 场效应晶体管（利用CNT的半导体性质）;芯片的发展与计算机科学的进步：;纳米金属与合金在电学性能上的新性能：; 当颗粒小于某一临界尺寸 (电子平均自由程 )时 ,电阻温度系数可能由正变负。例如 ：;纳米 Pd 块体的比电阻随粒径的减小而增加； 纳米晶 Pd 试样比电阻比常规材料的高； 比电阻随温度的上升而上升。;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;2）材料的介电性（交变电场作用下的电学性能）;介电常数可看成介质中电介质极化强度的宏观量度。;层压电容器; 纳米半导体材料的介电常数随测量频率的减小呈明显上升趋势。 在低频范围中 ,纳米半导体材料的介电常数呈现尺寸效应 。 介电常数温度谱及介电常数损耗谱特征的不同。 压电特性的不同。;同样的趋势表现于纳米TiO2和 SiO2等材料。;介电常数温度谱及介电损耗频率谱具有特殊特征：;纳米材料由于表面电荷分布变化造成的局域电偶极矩引起的压电特性; 某些物质当冷却到临界温度以下时，同时产生零电阻和排斥磁场的能力，被称为超导电性，这类材料称为超导材料。; 1911年，荷兰科学家昂内斯用液氦冷却水银，当温度下降到４.２K时发现水银的电阻完全消失，这种现象称为超导电性。 ;超导材料的分类：;超导体的发现历程：六十年代：低温超导材料及低温技术（铌钛、铌锡、钒镓、铌锗合金）；八十年代中期始：高临界温度超导材料材料（钇系、铋系的带材、块材和薄膜的研究）; 1987年2月，美国华裔科学家朱经武和中国科学家赵忠贤相继在钇－钡－铜－氧系材料上把临界超导温度提高到90K以上，突破了液氮的禁区（77K）。1987年底，铊－钡－钙－铜－氧系材料的临界超导温度的记录提高到125K。短短一年多的时间里，临界超导温度提高了100K以上，相比首次发现的超导合金―铌锗合金，其临界超导温度为23.2K，该记录保持了13年。 　　; ;放大500倍的超导体的微结构;超导体的完全抗磁性：迈斯纳效应; 1933年，迈斯纳和奥克森菲尔德两位科学家发现，如果把超导体放在磁场中冷却，则在材料电阻消失的同时，磁感应线将从超导体中排出，不能通过超导体，这种现象称为抗磁性。 　　 ;超导体的三个参数：; 1991年