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寄生参数对SiC MOSFET栅源极电压影响的研究.pdf
2016年7月 电工技术学报 V01．31No．13
第31卷第13期 TRANSACTIONS0FCHINAELECTROTECHNICALSOCIETY Jul． 2016
寄生参数对SiCMOSFET栅源极电压
影响的研究
巴腾飞 李艳 梁 美
(北京交通大学电气X-程学院北京 100044)
摘要 为分析寄生参数对开关过程中碳化硅(SiC)MOSFET栅源极电压的影响，首先建立了基于同
步Buck变换器的SiCMOSFET开通和关断过程的数学模型；然后通过仿真和实验结果对比，验证了寄
生参数带来的影响；最后分析了开关过程中各寄生参数对SiCMOSFET栅源极电压的影响。
关键词：SiCMOSFET寄生参数开关模型栅源极电压
中图分类号：TM85
TheE仃ectofParasiticParametersonGate．Source
ofSiCMOSFET
Voltage
Ba LiYan Mei
Tengfei Liang
ofElectrical 100044
(School BeijingJiaotongUniversityBeijing China)
Engineering
the of onthe ofSiCMOSFETin
AbstractInorderto effect
analyze parasiticparametersgate—sourcevoltage
on
the transient modelofSiCMOSFETturn-onandturn—off isestablishedbased
switching process，the process
the Buckconvenerinthis effectof isverified the
synchronous paper．The parasiticparameters throughcomparing
measurementswiththesimulation isalso inthis
results，and
experimental analyzedpaper．
Keywords：SiCMOSFET，parasiticparameters，switchingmodel，gate-sourcevoltage
0引言 越发明显。文献[10，11]分析了寄生电容和栅极阻抗
对MOSFET栅源极电压的影响，并进行了仿真对比，
Carbide，
新型宽禁带半导体器件碳化硅(Silicon
但未进行实验验证。文献[12]研究了共源电感对
SiC)MOSFET以其高速开关能力、低通态电阻、高结
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