微锥阵列对碳纳米管薄膜强流脉冲发射的影响.pdfVIP

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2017-08-19 发布于北京
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微锥阵列对碳纳米管薄膜强流脉冲发射的影响.pdf

45卷第6期人工晶体学报 v。1．45No．6 兰Q!鱼生鱼旦』Q旦旦堕垒生Q!璺!堕!旦堡旦垦鱼垦!璺!垒堕 !竺翌!：三Q!鱼微锥阵列对碳纳米管薄膜强流脉冲发射的影响麻华丽1，霍海波1，曾凡光1，向飞2，王淦平2 (1．郑州航空工业管理学院理学院，郑州450015；2．中国工程物理研究院应用电子学研究所，高功率微波技术重点实验室，绵阳621900) 摘要：采用酞菁铁高温热解方法，以化学镀铜层为缓冲层，在具有微锥结构阵列的硅基底上制备了CNTs薄膜，并采用二极结构，在20 GW脉冲功率源系统中对其强流脉冲发射特性进行了测试。结果表明：在相同的峰值电场下， CNT薄膜的发射电流峰值随基底微结构单元尺寸的减小而增大，且当脉冲电场的峰值增加时，CNT薄膜的发射电流的峰值增长速度随基底微结构单元尺寸的减小而增大。结合利用有限元分析软件ANSYS模拟计算的微锥阵列结构上表面的电场分布，研究了不同单元尺寸的微锥阵列对碳纳米管薄膜强流脉冲发射能力的影响。关键词：碳纳米管；强流脉冲发射；微锥阵列；单元尺寸；电场模拟中图分类号：TB383 文献标识码：A Effectof onIntensePulsedEmission Micro-pyramidArray of CharacteristicsCarbonNanotubeThinFilms MA Hai—bo Hua-．-li，HUO1，ZENG Fei2，WANG Fan—guan91，XIANGGan-pin92 of Institute ofAeronautical (1．CollegeScience，Zhengzhou IndustryManagement，Zhengzhou450015，China； 2．Scienceand on PowerMicrowave of TechnologyHigh Laboratory，InstituteAppliedElectronics，CAEP，Mianyang621900，China) 29 7 (ReceivedJanuary april2016) 2016，accepted filmswere onthesurface Abstract：Carbon ofelectrolessCu with nanotube(CNT)thingrown platedlayer structuresiliconsubstratethe ofiron micro—pyramid array by pyrolysis phthalocyanine．Intense pulsed fieldemission ofCNTswasmeasuredonthe20GW adiodestructure． pr