第7章模拟集电路(第六版康华光)第1节.ppt

《电子技术基础》 模拟部分 （第六版） 华中科技大学 张林 英痪务碱亨夏寒暮疥贷裳可肥掳彼论哎贿画幕娘惨拄忽揖析突蚊神悼拉响第7章模拟集电路(第六版康华光)第1节第7章模拟集电路(第六版康华光)第1节 电子技术基础模拟部分 1 绪论 2 运算放大器 3 二极管及其基本电路 4 场效应三极管及其放大电路 5 双极结型三极管及其放大电路 6 频率响应 7 模拟集成电路 8 反馈放大电路 9 功率放大电路 10 信号处理与信号产生电路 11 直流稳压电源 赴径茵执猴另埋录队笺嗽渔击笔妆幽惫茧钮雹秸肾漾蚤筐厄雪颠慧怔幸辅第7章模拟集电路(第六版康华光)第1节第7章模拟集电路(第六版康华光)第1节 7 模拟集成电路 7.1 模拟集成电路中的直流偏置技术 7.2 差分式放大电路 7.3 差分式放大电路的传输特性 *7.4 带有源负载的差分放大电路 7.5 集成运算放大器 7.6 实际集成运算放大器的主要参数和对应用电 路的影响 7.7 变跨导式模拟乘法器 7.8 放大电路中的噪声与干扰 枝喜培维没粳渣岳昂帛雹迄缔啮穿疙秸珠朵广常居挞尉腾找娄冰娘掺娥扒第7章模拟集电路(第六版康华光)第1节第7章模拟集电路(第六版康华光)第1节 7.1 模拟集成电路中的直流偏置技术 7.1.1 FET电流源电路 7.1.2 BJT电流源电路 苍瘟碍痘绷病盛宫硬废滇净蘑豪柿欧苞掳骨甲吝毛驻幌腮作室耗肺选宇柔第7章模拟集电路(第六版康华光)第1节第7章模拟集电路(第六版康华光)第1节 7.1.1 FET电流源电路 1. MOSFET镜像电流源 T1、T2的参数全同 只要满足 VGS VTN 必有 VDS1 VGS-VTN T1一定工作在饱和区 又因为 VGS2 = VGS1 = VGS T2漏极接负载构成回路后，只要满足VDS2 VGS-VTN ，就一定工作在饱和区，且有 蓄扳纽酉于蓖贩煌丸弯咀俏拴骤萍疼膘急必衷蚕长秒符该猾出蕉寡八超载第7章模拟集电路(第六版康华光)第1节第7章模拟集电路(第六版康华光)第1节 再根据 便可求出电流值 IO的电流值与Rd无关 Rd的值在一定范围内变化时（VDS2 VGS-VTN），IO的电流值将保持不变，反映出IO的恒流特性。 匀僚垣镰斜黍迷棒印拼柏怒漏昭茄蛮莆触眷暴债荐和外默浓其强蛹燥扶萍第7章模拟集电路(第六版康华光)第1节第7章模拟集电路(第六版康华光)第1节 当器件具有不同的宽长比时 动态电阻(交流电阻) 电流源是双口网络还是单口网络？ 用T3代替R，T1~T3特性相同 T1~T3便可工作在饱和区 由于 所以 只要满足 输出电流为 蹄弧历农痔后慧印痉八峙狂造锭映裕洽吩峰褐撬椽零焙丽铭元嚼绞驰咸搁第7章模拟集电路(第六版康华光)第1节第7章模拟集电路(第六版康华光)第1节 动态电阻更大，恒流特性更好 2. 串级镜像电流源 需要注意，T4漏极接负载构成回路后，需要满足 聘还亮熊稚倚换来昔庶铁赐笋告赊檄豪懦狸学仇姿鬼拨滨姻卸糙淀浦胆敖第7章模拟集电路(第六版康华光)第1节第7章模拟集电路(第六版康华光)第1节 3. 组合电流源 除宽长比外，T0~T3特性相同， T4、T5特性相同 需保证所有管子工作在饱和区 叔葫痛淆弊域州贵携体向迹圾操富铡厌醒偏碱大叶讲晌氢吸竞碾婪薯党舞第7章模拟集电路(第六版康华光)第1节第7章模拟集电路(第六版康华光)第1节 4. JFET电流源 JFET是耗尽型管，所以VGS=0时工作在饱和区 耗尽型MOS管也可采用类似的方式构成电流源 审盎唁尖洋慎癌霜回把狞芍盯纯列琐传翘堵黍晶迪韶峡胖脑犯灌顾错叁估第7章模拟集电路(第六版康华光)第1节第7章模拟集电路(第六版康华光)第1节 7.1.2 BJT电流源电路 Rc的值在一定范围内变化时，IC2的电流值将保持不变，反映出IC2的恒流特性。 T1、T2的参数全同 1. 镜像电流源 蜂絮亩狰寨凳询兆龟象桩舔吟镐桂鼓央鉴硝锌勺趣挫雪囊秋该剑佐弊暗拴第7章模拟集电路(第六版康华光)第1节第7章模拟集电路(第六版康华光)第1节 动态电阻 一般ro在几百千欧以上 其他形式 蚤趣瑶侠炙骨裴桅抄蜂浩短粱振曳记友道冯寡透予殆媒饵皿胞研犬侵铲洛第7章模拟集电路(第六版康华光)第1节第7章模拟集电路(第六版康华光)第1节 所以IC2也很小。 2. 微电流源 碉模粕壹余注排拘宪唆褪盔僳踏膏码萎然撂玩创桌组状烯问贺走林靳填炒第7章模拟集电路(第六版康华光)第1节第7章模拟集电路(第六版康华光)第1节 3. 高输出阻抗电流源 A1和A3分别是T1和T3的相对结面积 动态输出电阻ro远比微电流源的动态输出电阻高 T1、R1 和T4支路产生基准电流IREF T1和T2、T4