张云峰毕业论文答辩.pptx

图形内正电荷积累效应对 多晶硅刻蚀图形影响的研究 指导老师：杨靖 答辩人：张云峰 主要内容 研究背景及意义 实验步骤 设计方案 仿真过程 总结 展望 集成电路自60年代问世以来，有了十分迅速的发展。其集成度以每年25%的速度增长，随着大规模集成电路的发展，对半导体单元器件的性能要求越来越高，也为制造工艺提出了更高的要求。 集成电路工艺和器件的计算机模拟是集成电路开发和生产的必需技术，很大程度的减少成本，缩短开发周期。工艺器件的细微化、工艺的高成本使得计算机模拟在今后会越来越重要。 现状 在目前等离子刻蚀的研究中，主要集中在入射离子的种类、角度分布以及动量分布等方面，而对正电荷积累产生的影响的研究报道很少。 在本论文中，通过建立仿真模型，参考实际工艺中的参数，对多个参数控制，进行仿真模拟，以获得正电荷积累效应对多晶硅刻蚀图形的影响的深入了解。 1.物理化学基础 实验步骤 仿真模型 仿真过程 仿真结果 反应过程 化学反应 SiCl3 (s)+Cl(g)→SiCl4(g) 脱离 ion溅射 SiClx (s)  Cl+ Si(g)+xCl (g) (x=0~4) ion刻蚀 SiClx (s) Cl+  SiClx (g) (x=1~4) ion刻蚀＋溅射 Si Clx (s)  Cl+  SiCl (x-y)(g) +yCl (g) (x=0~4 ) (y=0~4) Si的刻蚀原理 【其中： (S)表示反应表面，(g)表示气体】 2.设计方案 反应过程 仿真模型 仿真过程 仿真结果 实验步骤 3.仿真模型 反应过程 实验步骤 仿真模型 仿真过程 仿真结果 原子尺度单元模型，把刻蚀表面分割成微小的单元，每个单元内包含1个衬底原子，通过对入射反应粒子的通量（大小和角度）在反应面各单元的计算，判明粒子在表面的吸附、堆积、脱离等种种反应，计算结果转化为除去或添加微小单元。 Si原子位于单元的中央，中性活性种Cl原子和一个单元内Si原子发生吸附反应，1个单元最多可以吸附4个Cl原子 4.仿真过程 反应过程 实验步骤 仿真模型 仿真过程 仿真结果 （1）一定数量的活性种离子入射； （2）判断离子的运动轨迹以及是否到达Si单元格中； （3）对到达了Si单元格中的离子计数，当一个Si吸附 4个离子时脱离； （4）脱离后Si单元格减少，反映到刻蚀图形中。 5.仿真结果分析 反应过程 实验步骤 仿真模型 仿真过程 仿真结果 当离子垂直入射，则刻蚀的效率非常高，主要是对刻蚀图形的控制会达到理想的效果，可以刻蚀出想要的沟道。 当考虑入射离子的角度分布以及通量分布，仿真更接近与实际工艺，入射离子的角度分布近似于正态分布，通量随着R(入射能量和热运动能量之比)的减小而变小，刻蚀出的图形相对于之前的更加复杂，但是考虑了刻蚀反应中各种反应系数，包括物理碰撞和化学反应之后，刻蚀的效率增大，于沟道两侧的刻蚀更加严重。 考虑了正电荷积累效应之后，我们可以直观的看到：正电荷积累的越多，刻蚀的沟道越膨胀，表明对两侧多晶硅的刻蚀更严重，电荷的积累过多时，会严重影响了所生产的器件的性能，所以在实际工艺中就必须采取另外的方法或者经验控制来减少这一现象带来的影响。 在下一阶段的工作中，准备做以下两方面的研究： 1.通过优化仿真参数，包括入射离子的种类、仿真环境等，对多晶硅刻蚀进行更详细的研究。 2.优化碰撞模型，通过考虑原子之间的作用力以及在空间中的运动规律来让仿真结果更接近于实际工艺，解决在本次仿真中存在的不足之处。 致谢 这篇论文中的工作是在我的导师杨靖老师的悉心指导下完成的。杨老师渊博的知识、活跃的学术思想、严谨的科研作风对我影响深远，受益匪浅。在撰写论文期间，杨老师向我提出了许多宝贵的意见和建议，这不仅加快了我论文的撰写的进度，更有效地保证了论文写作的规范和质量。我在此对杨老师的无私奉献和诚挚的关怀表示衷心的感谢。 谢谢！