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小型差压传感器高过载结构的设计研究 孙海玮陈信琦刘宏伟 ． 沈阳仪表科学研究院 辽宁沈阳 110043 摘要：本文介绍一种体积小、测量范围广、可靠性好、带有过载保护四膜片结构的差压传感器．这 x 种差压传感器外形尺寸为：妒56 静压管路中的流量等参数．本差压传感器内部结构有四个金属膜片，膜片作为弹性体可将被测介质压力 信号通过硅油传递到传感器芯片上．其中有两个膜片为差压传感器保护膜片(5=0．05)，两个膜片为中 心膜片(厚度随量程的大小而定)．本差压传感器芯片可采用硅压阻式、硅电容式等芯片。差压传感器输 出信号．接口、安装方式、外型符合标准型工业仪表的要求． 关键词：差压过载结构膜片 1．引言 小型过载保护差压传感器是用于测量两个相对变化的差压，把差压信号转化成电信号。这种差压传感器 在工业领域中广泛应用，比如：带静压式的罐体内测量液位、带静压管路中的流量测量等。差压传感器信号 这里介绍小型带过载保护的差压传感器，它的外型尺寸为$56mm×36mm。一般情况下硅芯片(膜体)设计在 保证线性前提下还要有抗基准量程5倍耐压的设计，而现实应用中过载要达到100倍以上，这样高的压力硅 芯片是不能承受。我们这里所研究四膜片机械结构差压传感器保证实现其功能在高倍过载采用单晶扩散硅芯 片的金属四膜片结构方式，整机的输出信号、安装方式、螺纹接口等均符合工业仪表标准。 2．工作原理 离膜片和中心膜片。设膜片在压力P作用下发生位移，容腔体积变化为V。则尸与矿之间的关系可表达为： p=-≯·V 图l 246 比例系数咖由膜片刚度决定，定义为体积变化刚度。当正、负压腔充完硅油后，腔内已没有气体，可以 认为硅油体积不可压缩，总的体积不变，于是可得： P(+)一Pr=0Sgl·y Pl_P2=(≯Scl+$Sc2)‘y P2一P(一)=$S92·y 式中，咖Sg、$Sc为隔离膜片、中心膜片的体积变化刚度，将上式左右相加得： P(+)-p(一)=(4，Sgl+cs92)·阡pl-P2) 令加在硅芯片上的差压信号为△P，待测的压差为△P，，由图(1)可得：△P暑Pl喝 △P印(+)一尸(一) A AP P’=(ObSgl+4，S92)·H △p=-△P’一(4Sgl+cs92)·V AP=A P’(1-(4,Sgl+4，S92)／△一) 因为：AP，．P(+)-p(一)=(4，Sgl+4,S92)·(西Scl+ohSc2)·V 所以：△P=△P’(1一(gbSgl+$S92)／(4，Sgl+由S92)+(4,Scl+4Sc2)) 这里在设计制造过程中我们要求4,Sgl=$S92=多Sg、4Scl=4’Sc2=多sc。 这样上式可得： P， △P=-(1一西sg／(币Sg+咖Sc”·A 测量高静压情况下的小压差的原理。 使用过程中，由于一端渗漏或一端阀门未开等原因，会使差压传感器的一端压力为零(大气压)，这时 △P趋近于P(+)或△P趋近于P(一)，大大超过测量上限，如果将此差压信号传递给硅芯片上，硅芯片必 定破碎。这就是过载保护的提出力的问题 Pl腔体，设体积变化为V，即S1内硅油量减少V1、Pl腔内硅油增加№由于硅油的不可压缩性，中心膜片 Sc必会产生位移且产生y的体积变化，尸2腔中硅油向S2下流动，进入量也是V(硅芯片膜片的变形量很小， 始与仿形体基体接触，这时4Sg发生变化。差压传感器受压部进入严重非线性区域，直到Sl膜片与仿形体 M基本不变，AP’。也基本不变，这就是硅片承受的最