(12）发明专利申请.PDF

(19）中华人民共和国国家知识产权局 箩 (12）发明专利申请 (10 CIN 105845769 A ）申请公布号 (43）申请公布日 2016. 08. 10 (21 ）申请号 201610177605.7 H01L 31/182006.01) (22）申请日 2011.05.04 (30）优先权数据 61/331,158 2010.05.04 US 12/945,792 2010.11.12 US (62）分案原申请数据 201110120153.6 2011.05.04 (71 ）申请人光城公司 地址美国加利福尼亚 (72）发明人J ・ B ・衡 游晨涛 徐征 傅建明 (74）专利代理机构 中国国际贸易促进委员会专 利商标事务所11038 代理人 申发振 (51）一nt 一C 一 － H01L 31/0745(2012.01) 权利要求书3页 说明书9页 附图7页 (54）发明名称 具有氧化物隧穿结的太阳能电池 (57）摘要 本发明的→个实施例提供具有氧化物隧穿 结的太阳能电池O该太阳能电池包括基极层；与 所述基极层相邻的量子隧穿势垒(QTB）层；发射 极；表面电场层；前侧电极；以及背侧电极O 鏊鞋 f ● 寸 匕 一 一 雌 蕊 路 CN 105845769 A 权 利 要 求 书 U3 页 L一种基于隧穿结的太阳能电池的制造方法，包括： 获取用于太阳能电池的基极层： 同刑形成基本十覆盖所述基极层的整个前表面的前侧量子隧穿势垒（QTB）层和基本十 覆盖所述基极层的整个背表面的背侧量子隧穿势垒层： 形成在所述背侧量子隧穿势垒层十的发射极层； 形成在所述前侧量子隧穿势垒层十的前表面电场（FSF）层； 形成存所述前表面电场层十的前侧电极；以及 形成在所述发射极层十的背侧电极。 2 ．根据权利要求1的方法，其中所述基极层包括以卜项中至少→项： 单晶硅晶圆；以及 外延牛长晶态Si(c-Si）薄膜。 3．根据权利要求2的方法，其中调节所述外延牛长晶态Si薄膜的掺杂分布。 4 ．根据权利要求1的方法，其中所述基极层包括基本十位于所述基极层中部的本征Si 薄层，并且其中所述本征Si层的厚度位于1 nm和lOnm之间。 5．根据权利要求1的方法，其中所述前侧量子隧穿势垒层和所述背侧量子隧穿势垒层 中的每个量子隧穿势垒层包括以下项中至少一项： 氧化硅(Si Ox); Ox ; 加氢Si 氮化硅（Si Nx); Nx ; 加氢Si lOg): 氧化铝（A 氮氧化硅（Si ON)；以及 ON0 加氢Si 6 ．根据权利要求5的方法，其中所述前侧量子隧穿势垒层和所述背侧量子隧穿势垒层 中的每个量子隧穿势垒层包括Si OX或加氢Si Ox，其中x小于2。 7．根据权利要求1的方法，其中