铝掺杂对氧化锌压敏陶瓷电性能的影响.pdfVIP

第31卷第9期 无机材料学报 VbI．31No．9 2016年9月 Joumalof Materials InOrganic S印．，2016 文章编号：1000-324x(2016)09．0981．06 铝掺杂对氧化锌压敏陶瓷电性能的影响 蔺家骏，李盛涛，何锦强，刘文凤 (西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室，西安710049) 摘要：研究了微量铝(A1)掺杂对氧化锌(znO)压敏陶瓷显微结构、电性能和本征点缺陷浓度等方面的影响及其作用 机理。研究结果表明，介电损耗峰值能够在一定程度上反映zn0压敏陶瓷本征点缺陷浓度，微量Al掺杂能够引起 Alo压敏陶瓷本征点缺陷浓度的显著降低。氧空位缺陷对应的损耗峰峰值从88．82下降到1．74，锌填隙缺陷对应的 损耗峰峰值从133．38下降到8．14。随着Al掺杂量的增加，znO压敏陶瓷平均晶粒尺寸从9．15pm逐渐下降到6．24陋1， 而压敏电压从235V／mm逐渐提高到292v，mm。可见Al掺杂抑制了zn0压敏陶瓷中本征点缺陷的形成，而本征 缺陷浓度的降低导致材料显微结构和电性能发生明显变化。本文阐述了Al掺杂对zn0压敏陶瓷本征缺陷的影响 机理，建立了zn0压敏陶瓷显微形貌、电性能、介电性能和本征点缺陷之间的联系。 关键词：znO压敏陶瓷；Al掺杂；本征点缺陷 中图分类号：TM28文献标识码：A E仃ectof舢AdditiononElectrical ofZno-basedvaristorCer锄ics Pmpenies LIN Jia—Jun，LISheng-Tao，HEJin-Qiang，LIUWen—Feng ofElectricalInsulation柚dPower (StateKeyLaboratory Equipment，Xi’锄Jiaotong Abstract：The砌uencesof舰ceionicAladditionontlle intrinsicdefects micms乜-Ilcture，elec仃ical properties锄d concen仃ationofznO-b弱edV撕storce枷cswerc resultsshowthatthe Valueof inVestigated．The peak imagiIl哪 usedto i—nsicdefectconc锄地札ion．TtaceionicAladditionreducesthei11trinsic pemittiVi够c锄ber印fcsent greatly defect of the defectdecrcases concen仃ations，tP．me peal【Valueimagina哆p删位iVi吼r印rcsentingoxygcnVac觚cy 舶m88．8to t11e z疵interstitialdefect to8．1．WimmeiIlcreaseofionic 1．7，蛐d co盯espon幽g decre髂ing丘蚴133．4 Al Varistor