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全氟并五苯在半金属Ga表面的分子二聚化及自组装单层
中国科学: 化学 2010 年 第40 卷 第2 期: 167 ~ 172
SCIENTIA SINICA Chimica SCIENCE CHINA PRESS
论 文
全氟并五苯在半金属Ga 表面的分子二聚化及
自组装单层
① ① ① ① ①②* ③ ②
彭桂平 , 王进华 , 兰梦 , 邵婷娜 , 王俊忠 , 武志坚 , 樱井利夫
① 西南大学物理科学与技术学院, 重庆400715;
② 日本东北大学金属材料研究所, 仙台980-8577;
③ 中国科学院长春应用化学研究所, 长春 130022
通讯作者, E-mail: jzwangcn@
收稿日期: 2009-05-26; 接受日期: 2009-07-02
摘要 利用超高真空扫描隧道显微镜(UHV-STM)和有机分子束沉积(OMBD)方法研究 关键词
了全氟并五苯(perfluoropentancene,PFP)分子在半金属 Ga 表面的吸附和两维自组装. 在低 全氟并五苯
覆盖度下单个PFP 分子在Ga 表面上表现出很高的迁移性. 在1 分子单层(monolayer, ML) 扫描隧道显微镜
分子自组装
时PFP 分子发生二聚化并在Ga表面上无序排列. 轻度热退火可导致PFP 两维自组装: 二
二聚体
聚体排列为高度有序的一维分子带阵列, 带中PFP 二聚体排列为砖墙(brick wall)结构. 在
高分辨STM 图中, PFP 分子两端出现亮暗相反的圆形突起, 并且相邻分子的亮暗极性相
反, 表明PFP 分子带有电偶极矩, PFP 二聚体带有电四极矩. 因此, PFP 分子二聚体的形成
机制可唯像解释为反向电偶极矩之间的静电吸引作用; 二聚体的砖墙排列结构可归结为
同向电四极矩之间的静电排斥作用.
1 引言 为最佳的p 型有机半导体[7]. 目前发现的有机半导体
分子多数为p 型, 而n 型半导体分子则相对很少, 这
作为纳米制造领域“ 自下而上”技术的代表, 分
不利于制造有机p-n 结或双极性晶体管等器件. 最近
子自组装被广泛应用于有机电子学器中, 如有机场
Sakamoto 等人化学合成出一新型的n 型半导体分子:
效应晶体管(OFETs), 或有机发光二极管(OLEDs)[1~4].
全氟并五苯(perfluoropentancene, C22 F 14), 简称为
由于电荷迁移率密切依赖于分子的排列和取向, 如
PFP[8]. PFP 是并五苯分子的衍生物, 并五苯分子中的
何精确控制分子排列和取向并实现长程有序成为人
全部氢原子用氟原子代替后就得到 PFP 的化学结构,
们一直关注的课题. 研究发现目前有多种方法控制
分子的自组装结构: 如改变分子的化学结构、采用不 见图1(a)和(b). 这两种分子具有相同的形状和相近的
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