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铸锭工艺考试试题及答案模板 一、填空题 ．硅是一种化学元素，化学符号是Si），原子序数是14），属于元素周期表上IVA族的类金属元素。．多晶硅按纯度可分为(太阳能)级和(电子)级。 ．单晶硅就是晶向和结构一致的硅。多晶硅通常是由(无固定晶向)和(结构)的硅组成。 ．单晶硅棒生产最常用的工艺就是(直拉法)，简称CZ。 ．太阳能级硅的固态和液态的密度分别(2.33)g/cm3、(2.53)g/cm3。 ．晶体硅在底部形核时，核心数目较(多)，晶粒尺寸较(小)。 ．石英坩埚的化学成份是(二氧化硅),化学式是(SiO2)。 ．测量炉腔压力的两个压力计量程各为(1~1000 mbar), (0~1 mbar)。 ．破碎的块状多晶硅具有无规则的形状和随机尺寸分布，其线性尺寸最小为(3)mm，最大为(200)mm。 ．块状、棒状多晶硅断面结构应(致密)。 ．156*156型锭开方后产生(25)块硅块，(20)块边料。 ．公司主要原料是硅、主要参杂剂为(硼)。 ．硅的定向凝固时硼的分凝系数是(0.8),磷的分凝系数是(0.35),碳的分凝系数是(0.07)。 ．硅晶体的晶胞是(金刚石)结构，含有(8)个原子，密排面是(111)面。 ．从能量转换角度来讲，硅熔化过程是(吸热)，长晶是(放热)。 ．热传导方式有哪几种(热辐射)、(热对流)、(热传导)，多晶铸锭炉的热传导方式以(热辐射)为主。 ．DSS炉在气体模式框中显示(outlet)时，此时(inlet)流量固定，(outlet)自动调节保持设定压力。 ．头尾红区不良，造成头部红区不良主要为(金属)杂质；造成尾部红区不良主要为（氧）杂质。 ．位错的类型包括(刃型位错)，(螺型位错)，(混合位错)。 ．坩埚涂层的主要成分是(氮化硅)，化学式是(Si3N4)。 21．现单晶中氧施主使P型单晶电阻率(减小)、退火后其电阻率会(增加)。 22．硅材料中杂质一般有(间隙态)、(替位态)、(复合体)、(沉淀)四种存在形态。 23．气体模式下，最大压力值(900mbar)；真空模式下，最大压力值(5mbar)。 24．硅锭号定义是：(7)位。 25．目前发现的硅有 (三)种同位素。 26．DSS冷供应却水在(24)度左右，当到达(35)度时出现报警，如果持续上升达到(45)度时，系统默认无水供应。 27．DSS炉运行出现拉弧时，电压会(不变)、电流会(增加)、输出功率会(增加)。 28．国标中对原生硅料划分了(3)个级别。 29．刷边液的主要成分为(硅粉)；刷底液的主要成分为(硅粉)和（氮化硅)。 30．当前使用的氮化硅主要为(α)晶相。 31．M2硅锭生产判断熔化主要为(TC2)耦丝。 32．多晶铸锭过程中氧杂质主要来源(坩埚)。 33．坩埚喷涂所用材料化学式为(Si3N4)。 34．回收车间在回收的为(氮化硅)和（硅粉）。 35. 回收氮化硅主要分为(干粉) 氮化硅和（湿粉）氮化硅。 二、单选 36．以下( C )为硅片事业部生产的终端产品 Ａ. Ｂ. Ｃ. Ｄ. 37．Ar流量误差最大报警值是（A） A．10% B.15% C.12% D.20% 38．加热跳转到熔化的条件是(B ) A．TC1=1170℃ B.TC1=1175℃ C.TC2=1170℃ D.TC2=1175℃ 39．坩埚喷涂使用的是（A） A.氮化硅悬浮液 B. 液态氮化硅 C.SiC溶液 D.液态SiC 40． 硅料国标中1级料对氧含量的要求为(B) atoms/cm3 Ａ. ≤1.0×1016 Ｂ. ≤1.0×1017 Ｃ. ≤1.5×1016 Ｄ. ≤1.5×1017 41． 硅料国标中1级料对碳含量的要求为(A) atoms/cm3 Ａ. ≤2.5×1016 Ｂ. ≤2.5×1017 Ｃ. ≤4.0×1016 Ｄ. ≤4.0×1017 42． 公司硅料标准4级料可使用于(A) Ａ.仅多晶生产 Ｂ. 仅单晶生产 Ｃ.单多晶皆可 Ｄ. 单多晶都不可 43．边料切下的T1料叫（C） A边T1料 B边尾料 C边头料 D边料 44．判定M0和M2硅块的主要指标为（C） A 少子寿命 B 电阻率值 C 位错比例 D 硅锭合格率 45．硅块切除头料的厚度是（C） A 25MM B 15MM C 5MM D 5CM 46．PN结具有一个很重要的性质 ( B ) A.不导电 Ｂ.单向导电 C.双向导电 D.单位导电 47. V