半导体接面.PPT

Chapter 6　二極體的進一步探討　P 第 2 部分　二　極　體 Chapter　6 二極體的進一步探討 6.1　簡　介 6.2　非步階同質接面 6.3　異質接面半導體 6.4　金屬 - 半導體接面 6.5　非理想接面和異質接面的電容 6.6　結　論 6.1　簡介 第 5 章中，我們處理了標準同質接面的情況，它在冶金接面的摻雜是步階函數。但這樣的接面在實際情況，卻很少遇到。 本章將討論與實際情況較符合的二極體特性 6.2　非步階同質接面 pn 接面矽雙極性接面電晶體 (BJT) 的結構重畫在圖6.1且靠近接面沿著 A-A?切面的平滑摻雜圖形重新示於圖6.2。 注意：每一區的摻雜濃度隨著位置有明顯的改變，所以沒有一個接面是步階接面。 大部分的射極區域是簡併的，且這區有一合理的近似，Ef = Ec，基極區濃度會從射 - 基 (E-B) 接面隨著距離減少，這稱為超突變摻雜圖形 (hyperabrupt doping profile)。在基 - 集 (B-C) 接面，接面每一邊的濃度會隨著離開接面的距離而增加，濃度梯度會在基極和集極區產生電場。 基極區的電場為 6.2kV/cm且方向是加速基極中的電子朝向集極。所以在計算基極區的少數載子 ( 電子 ) 電流時，除了擴散以外必須考慮漂移。 為了描述基極區的濃度圖形，我們使用NA來表示 在集極區，對於ND作相同的分析，得到 圖6.4顯示靠近基 - 集接面的 ND(x), NA(x) 和NA(x) – ND(x) 的圖形，我們以線性漸變 ( 沿著圖示的斜率 ) 來近似這個接面 6.2.1　線性漸變接面 對於一階近似，圖6.4中的 NA – ND 可以看成在冶金接面 x0 處，NA – ND 函數的切線： x0 是基 - 集接面的位置，a 是斜率的大小，這稱為線性漸變近似，從圖6.4，可得 a = 1.2 × 1018cm-3/μm。 我們把體電荷密度 QV 寫成下式： 我們可求得接面電場，亦即積分電荷密度以得到 E(x)： 解接面寬度 w，得到 圖6.6(a) 是電中性的能帶圖，平衡的情形示於 (b) 6.2.2　超突變接面 1.內建電壓為 2.有一個電場存在基極區，會加速注入的少數載子離開E-B接面。 3.超突變接面的電容會隨著外加電壓作很大的改變，這種性質常用在變容體 (Varactors) ( 可變電抗元件 ) 的元件上。 6.3　異質接面半導體 一個異質接面是兩不同材料間的接面，這個接面可以是在一個半導體和一個金屬之間或在兩個不同半導體材料之間。 6.3.1　半導體 - 半導體異質接面的能帶圖 電子親和力模型 習慣上使用大寫字母來表示寬能隙材料的傳導型式，所以這可表示成Np接面。 因為電子親和力χ是不同的，在傳導帶邊緣有一個能量差ΔEC，因為能帶間隙 ( 因此也是離子化電位γ) 也是不同的，兩個價電帶邊緣不會互相對齊，而有一個差值ΔEV，這個不連續是： 如同同質接面的情形，一個外加電壓( p型正，n 處負)可以降低存在的位障，這稱為正偏壓(圖6.9(a))，而相反偏壓(逆向偏壓)會增加位障(圖6.9(b))。 要注意的是，有兩個不同的位障 ── 在這裡，電子的位障低於電洞位障，所以當接面是順偏時，電子將比電洞更容易注入。 Nn異質接面，在材料接觸瞬間，電子由一種半導體越過接面流到另一半零體直到達到平衡，平衡情況示於圖6.10(b)。這裡，電子從具有較小功函數(N)半導體的傳導帶移動進入具有較大功函數(n)材料傳導帶的空狀態。 6.3.2　介面狀態的效應 每一個表面原子在電中性情況下，有一個未鍵結的電子和一個空 ( 表面 ) 狀能，這稱為懸浮鍵 (dangling bonds)。 表面狀態散佈在一個能量範圍，且許多狀態的能量在半導內部的禁止帶。圖6.12(a) 顯示了在電中性下，這些狀態在能帶圖的分布情形。 假如表面沒有覆蓋且電子佔據了一些表面狀態，那麼在表面建立起一個淨電荷 ( 圖6.12(b) 的QSS)，這淨的表面電荷需要內部有一個相等但相反的電荷，如此會產生一個垂直於表面的靜電場。 6.3.3　晶格不匹配對異質接面的效應 兩不同晶格常數半導體介面的懸浮鍵也會影響靠近介面的能帶結構。考慮Si:Ge Nn異質接面的情形，它們有 4.1% 的晶格不匹配，它們導致的懸浮鍵表面狀態在10-14cm-2 等級 6.4　金屬 - 半導體接面 接面也可以發生在半導體和金屬之間。例如當一個金屬和半導體接在一起，會有兩種型式的接面產生：第一種是整流，電流在一方向流動，另一方向則不會；另一種是歐姆或低電阻，電流可以很容易的在兩個方向流動。 6.4.1　理想