一种高压大电流半导体放电管研究.PDFVIP

第２５卷第５期 重庆邮电大学学报（自然科学版） Ｖｏｌ．２５　Ｎｏ．５ ２０１３年１０月 ＪｏｕｒｎａｌｏｆＣｈｏｎｇｑｉｎｇＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＰｏｓｔｓａｎｄＴｅｌｅｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ（ＮａｔｕｒａｌＳｃｉｅｎｃｅＥｄｉｔｉｏｎ） Ｏｃｔ．２０１３ ＤＯＩ：１０．３９７９／ｊ．ｉｓｓｎ．１６７３８２５Ｘ．２０１３．０５．０１３ 一种高压大电流半导体放电管的研究 唐政维，向　导，张盼盼 （重庆邮电大学 光电工程学院，重庆４０００６５） 摘　要：针对常规半导体放电管在超大浪涌电流作用下，易局部过热而损坏这一问题，采用镓闭管扩散代替硼扩 散、台面工艺解决二氧化硅不能掩蔽镓扩散所带来的问题、玻璃钝化工艺实现高压结面保护等方法。实验结果表 明，通过镓扩散、台面刻槽、玻璃钝化和钛镍银多层金属化等工艺，提高了放电管的启动保护电压和最大浪涌电流， 其最大浪涌电流达到６ｋＡ，比设计值５ｋＡ提高了２０％。 关键词：高压大电流；半导体放电管；镓扩散；台面工艺；玻璃钝化 中图分类号：ＴＮ３４２．３　　　　　　　文献标识码：Ａ 文章编号：１６７３８２５Ｘ（２０１３）０５０６３４０５ Ａｈｉｇｈｖｏｌｔａｇｅａｎｄｈｉｇｈｃｕｒｒｅｎｔｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒａｒｒｅｓｔｅｒｓ ＴＡＮＧＺｈｅｎｇｗｅｉ，ＸＩＡＮＧＤａｏ，ＺＨＡＮＧＰａｎｐａｎ （ＣｏｌｌｅｇｅｏｆＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，ＣｈｏｎｇｑｉｎｇＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＰｏｓｔｓａｎｄＴｅｌｅｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ，Ｃｈｏｎｇｑｉｎｇ４０００６５，Ｐ．Ｒ．Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｉｎｔｈｉｓｐａｐｅｒ，ｉｎｏｒｄｅｒｔｏｓｏｌｖｅｔｈｅｐｒｏｂｌｅｍｔｈａｔｔｈｅｔｒａｄｉｔｉｏｎａｌａｒｒｅｓｔｅｒｉｓｅａｓｙｔｏｂｅｄａｍａｇｅｄｄｕｅｔｏｐａｒｔｉａｌｏｖｅｒ ｈｅａｔｉｎｇｗｈｅｎｔｈｅａｒｒｅｓｔｅｒｗｏｒｋｓｗｉｔｈａｈｉｇｈｓｕｒｇｅｃｕｒｒｅｎｔ，ｇａｌｌｉｕｍｉｓｕｓｅｄｉｎｓｔｅａｄｏｆｂｏｒｏｎｕｎｄｅｒｃｌｏｓｅｄａｍｐｏｕｌｅｖａｃｕｕｍ ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ；ｍｅｓａｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙｉｓｕｓｅｄｔｏｓｏｌｖｅｔｈｅｐｒｏｂｌｅｍｃａｕｓｅｄｂｙｇａｌｌｉｕｍｄｉｆｆｕｓｉｏｎｗｈｉｃｈｃａｎｎｏｔｂｅｍａｓｋｅｄｂｙｓｉｌｉｃｏｎｄｉｏｘ ｉｄｅ；ｇｌａｓｓｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙｉｓｕｓｅｄｔｏｐｒｏｔｅｃｔｊｕｎｃｔｉｏｎｓｕｒｆａｃｅｕｎｄｅｒｈｉｇｈｖｏｌｔａｇｅ．Ｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔａｌｒｅｓｕｌｔｓｓｈｏｗｔｈａｔｔｅｃｈ ｎｏｌｏｇｉｅｓｉｎｃｌｕｄｉｎｇｇａｌｌｉｕｍｄｉｆｆｕｓｉｏｎ，ｍｅｓａｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，ｇｌａｓｓｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ，ａｎｄｔｉｔａｎｉｕｍｎｉｃｋｅｌｓｉｌｖｅｒｍｕｌｔｉｌａｙｅｒｍｅｔａｌｌｉｚａ ｔｉｏｎ，ｄｅｆｉｎｉｔｅｌｙｉｍｐｒｏｖｅｄｔｈｅｂｒｅａｋｏｖｅｒｖｏｌｔａｇｅａｎｄｔｈｅｍａｘｉｍｕｍｔｒａｎｓｉｅｎｔｓｕｒｇｅｃｕｒｒｅｎｔｏｆｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒａｒｒｅｓｔｅｒｓ．Ｍｏｒｅ ｓｐｅｃｉｆｉｃａｌｌｙ，ｔｈｅｍａｘｉｍｕｍｔｒａｎｓｉｅｎｔｓｕｒｇｅｃｕｒｒｅｎｔｒｅａｃｈｅｓ６ｋＡｗｈｉｃｈｉｓ２０％ ｈｉｇｈｅｒｔｈａｎｔｈｅｄｅｓｉｇｎｖａｌｕｅ５ｋＡ． Ｋｅｙｗｏｒｄｓ：ｈｉｇｈｖｏｌｔａｇｅａｎｄｈｉｇｈｃｕｒｒｅｎｔ；ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒａｒｒｅｓｔｅｒｓ；ｇａｌｌｉｕｍｄｉｆｆｕｓｉｏｎ；ｍｅｓａｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ；ｇｌａｓｓｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ 加，并且放电时，放电管在超大电涌电流的作用下 ０　引　言 容易因自身的发热而损坏。因此，本研究组研发了 在通信领域中，通信设备等整机系统经常遭受