晶体结构缺陷的类型2010.ppt

4.1引言 实际生产中得到的无机材料几乎都不是理想晶体，因为在结构中不仅存在着空位、间隙原子等各种可能的缺陷，而且还经常有外组份的“掺杂”，导致成分和结构都不同于理想晶体。 晶体的结构缺陷不等于晶体的缺点，实际上，正是由于晶体结构缺陷的存在，才赋予晶体各种各样的性质或性能。 结构缺陷的存在及其运动规律，对固体的电学性质、机械强度、扩散、烧结、化学反应性、非化学计量组成以及材料的物理化学性能都密切相关。 只有在理解了晶体结构缺陷的基础上，才能阐明涉及到质点迁移的速度过程，因而掌握晶体缺陷的知识是掌握无机材料科学的基础。 从无机材料的发展过程来看，固溶体占有重要的地位，而且这种作用和地位还在进一步加强，人们正在不断地利用物质间形成固溶体这一途径，发展和合成着各种性能优异的新材料。 第四章作业 1、对MgO晶体的缺陷测定生成能为84KJ/mol，计算该晶体在1000K和1500K时的热缺陷浓度。该缺陷是弗仑克尔缺陷吗？为什么？ 第四章作业 2、请举例说明形成固溶体后对材料物理性质的影响。 第四章作业 3、在MgO－Al2O3和PbTiO3-PbZrO3中，哪一对形成有限固溶体？哪一对形成无限固溶体？为什么？ 第四章作业 4、非化学计量缺陷的浓度与周围气氛的性质，压力大小相关，如果增大周围氧气的分压，非化学计量化合物Fe1-xO及Zn1+xO的密度将发生怎样的变化？增大？减小？为什么？ 5、试阐明固溶体，热缺陷和非化学计量化合物三者间的异同点。列出简明表格比较。 4.1.5 辐照缺陷 在晶体中，辐照产生的各种缺陷一般称为辐照损伤。对于多数材料而言，主要是离位损伤。 入射离子与材料中的原子核碰撞，一部分能量转换为靶原子的反冲动能，当此动能超过点阵位置的束缚能时，原子便可离位。 最简单的辐照缺陷是孤立的点缺陷，如在金属中的弗仑克尔缺陷对（由一个点阵空位和一个间隙原子组成）。级联碰撞条件下，在约10nm直径的体积内产生数百个空位和数百个间隙原子。 若温度许可，间隙原子和空位可以彼此复合，或扩散到位错、晶界或表面等处而湮没，也可聚集成团或形成位错环。 辐照缺陷与材料性能的关系 当材料在较高温度受大剂量辐照时，离位损伤导致肿胀，长大等宏观变化。 离位损伤造成的种种微观缺陷显然会导致材料力学性能变化，如辐照硬化、脆化以及辐照蠕变等。 辐照缺陷还引起增强扩散，并促使一系列由扩散控制或影响的过程加速进行，诸如溶解，沉淀，偏聚等，并往往导致非平衡态的实现。 对于某些材料如高分子聚合物，陶瓷或硅酸盐等，另一类损伤，即电离损伤也很重要。入射粒子的另一部分能量转移给材料中的电子，使之激发或电离。这部分能量可导致健的断裂和辐照分解，相应的引起材料强度丧失，介电击穿强度下降等现象。 市场上流行的蓝色托帕石的颜色绝大多数是经过辐照处理的。天然的蓝色托帕石非常少见。天然无色的托帕石先经辐射使之呈褐色，然后再加热处理而呈蓝色的。 巴西粉红色和红色的托帕石是该地区产的黄色和橙色托帕石经热处理的产物。 常规仪器不易区分天然颜色的托帕石与辐照处理致色的蓝色托帕石。如果蓝色托帕石有残余放射性则表明经过处理。但是样品经过较长时间的存放，其放射性残留量可以降低到安全标准以下，无法依此进行鉴别。更好的鉴定办法是检测阴极发光，天然蓝色托帕石具有比辐照处理的强很多的阴极发光。  第四章作业 4、许多晶体在高能量射线照射下会产生不同的颜色，经退火后晶体的颜色有消失，试解释原因。 第四章作业 6、在半导体材料硅或锗晶体中掺入三价元素杂质可构成缺壳粒的P型半导体，掺入五价元素杂质可构成多余壳粒的N形半导体。请回答以下问题： ①说锗晶体本身是电中性的，那掺入三价元素杂质后的P型半导体还是电中性的吗？ ②掺入三价元素杂质的N形半导体如果还为电中性，为什么电子的数目较多？ ③掺入五价元素杂质的P型半导体如果还为电中性，为什么空穴的数目较多？空穴在电场力的作用下还可以移动？那空穴到底指的是什么？ ④果P型半导体和N形半导体都符合了电中性，那结合之后电子为什么在没有电场力的作用下还可以移动？ 谢 谢 在半导体材料中掺入适当杂质，可以提供更多导带电子和满带空穴的半导体，称为杂质半导体。杂质半导体又分为n型和P型两类。 4.2 体缺陷 体缺陷包括空位团、气孔、裂隙、沉积物，掺杂物等。体缺陷的存在，亦将严重影响着材料的物理、化学性质。体缺陷的形成方式和条件也各不相同。 气孔及裂隙 ： 气孔形成的原因 ： 陶瓷材料内孔洞形成原因之一是煅烧温度过低、时间短，即在生烧的情况下，坯体未能形成足够的玻璃相(未成为致密的烧结体)，这时在坯中原料颗粒之间的空隙，或原料颗粒上的裂纹未被玻璃相填满