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第一章 光电导探测器(PC-Photoconductive) 一、基本概念 某些物质吸收了光子的能量产生本征吸收或杂质吸收，从而改变了物质电导率的现象称为物质的光电导效应。利用具有光电导效应的材料（如硅、锗等本征半导体与杂质半导体，硫化镉、硒化镉、氧化铅等）可以制成电导随入射光度量变化的器件，称为光电导器件。最典型的光电导器件是光敏电阻。 二、光电子器件的基本特性： 　光电探测器的基本特性包括： 　　　响应特性：响应率、探测率、时间常数 　　　噪声特性：信号噪声比 　　光电成像器件的特性： 　　　响应特性 　　　成像特性：分辨率、空间频率特性以及空间抽样特性 　　　噪声特性 　本节只介绍响应特性、探测率及吸收系数 1.1.1 光谱响应率和响应率 　　　光电探测器输出信号电压或电流与单位入射光功率之比、即单位入射光功率作用下探测器的输出信号电压或电流称为响应率，包括光谱响应率和积分响应率。 １、光谱响应率 　 1.2 光电导探测器的原理 根据内光电效应制成的光电器件。 当光子能量大于禁带宽度时，把价带中的电子激发到导带，价带中留下自由空穴，从而引起材料电导率增加，这就是本征光电导效应 当光子能量激发杂志半导体的施主或者受主，使他们电离，产生自由电子或者空穴，从而增加材料电导率，为非本征光电导效应。 1.2.1光电导效应： 1、欧姆定律：