第十二次课 激光原理.pptVIP

粒子数反转要求：导带能级被电子占据的几率应大于与辐射相关的价带能级被电子占据的几率。即 问题3：LD是如何发光的? 给PN结加正向电压 在有源区形成粒子数反转， 导带电子不稳定，少数电子自发跃迁到价带，产生光子； 1个光子扰动导带中电子跃迁到价带，同时释放出1个相干光子，持续这个过程，直到释放出多个相干光子，即在合适的腔内振荡放大； 在增益大于损耗时，形成激光输出，输出的光子能量近似等于禁带宽度 hν≈Eg 当GGt，腔内光功率 输出光功率 作业 P171 T13 * 第五章 典型的激光器件 问题1：半导体激光器 有什么特点？ 特点：体积最小、重量最轻，使用寿命长，有效使用时间超过10万小时。易泵浦。易与集成电路单片集成，可用高达GHz的频率直接进行电流调制以获得高速调制的激光输出。目前已成为最实用的一类激光器，主要用于信息存储、光纤通信和泵浦固体激光器。 输出波长范围：紫外、可见、红外 （0.33~34μm） 输出功率：mW、W、kW。 半导体激光器（LD）——由不同组分的半导体材料做成的激光器。品种已达300多种。 激励方式： 电子束激励 光激励 碰撞电离激励 PN结注入电流激励 工作物质 谐振腔 PN结（同质结） 异质结 单异质结 双异质结（DH） 解理面 布拉格反馈 分布反馈式DFB 分布布拉格反射式DBR 问题2：如何 实现粒子数 反转呢？ ——1962年研制成功 —1970年研制成功 首先了解半导体材料的能级结构 能带的形成原因：由于相邻原子的扰动，使得原子的能级分裂；因为原子数目大，新能级多，因而相邻能级差极小而形成能带 ——由原子最外层轨道的价电子能级分裂的能带（基态能级） ——由激发态能级分裂 的能带 ——不允许电子存在的区域 图5-43 电子在本征半导体中的分布 导带 价带 禁带宽度 Eg=Ec-Ev 费米能级Ef 半导体导电性能高低与禁带宽度有关。宽度越小，电子越容易从价带跃迁到导带，因而导电性能越好。 电子在能带中的分布服从费米—狄拉克分布，能级E被电子占据的几率为： Ef ——T=0时完全填满的能级和完全空态的能级的边界。对于本征半导体，它处于禁带的中心。 当T→0 时，有 不导电 当T0 时，有 导电且可 辐射光子 hv 电子填充空穴的过程称为电子与空穴的复合。 半导体材料就是利用这种复合来发光的。 本征半导体中，电子与空穴数量相等。为了增强导电性，在半导体中人为掺入少量杂质形成掺杂半导体。 N型半导体 本征半导体 P型半导体 ?本征半导体（I型）：杂质、缺陷极少的纯净、完整的半导体。 ?电子半导体（N型）：通过掺杂使电子数目大大地多于空穴数目的半导体。（GaAs-Te） ?空穴半导体（P型）：通过掺杂使空穴数目大大地多于电子数目的半导体。（GaAs-Zn） 费米能级进入导带 激光上能级区间： 电子处于上能级的几率： 费米能级进入价带 激光下能级区间： 电子处于下能级的几率： 这对于纯P型或纯N型半导体可能吗？ 怎么办？ ——用PN结 将P型和N型结合在一起，在接触面上就形成了PN结。 因为结两侧存在着空穴和电子浓度差，P区的空穴向N区扩散，N区的电子向P区扩散，形成一个逐渐增大的内建电场。 P区因获得电子费米能级升高，N区因获得空穴费米能级降低。 内部电场产生与扩散相反方向的漂移运动，直到P区和N区的Ef 相同，两种运动处于平衡状态为止。 内建电场E=eVD P N P N 若在PN结上加正向电压V≈Eg/e VVD 粒子数反转区 ——有源区 有源区的宽度与非平衡载流子的扩散长度有关。 由于有源区自由载流子的的浓度低于邻近区域，使有源区的折射率略高于邻近区域，因而存在“光波导效应”。激光模式的横向距离将受到限制。 P N d t L 有源区 模体积 模体积 半导体晶体 激光模的横 向强度分布 图5.46 有源区激光模的横向强度分布 w 在GaAs中， d≈2~5μm 稍大于t。 使PN结实现粒子数反转，需满足两个条件： ① 掺杂浓度足够高，使半导体的费米能级分 别进入导带和价带； ② 正向偏压 足够高，使 ，从而 。 问题4：LD的损耗和增益如何计算? P N 半导体激光器LD的损耗包括： ① 光通过P区和N区时会产生衰减，只有一部分能在有源区放大，腔内损耗用 表示； ② 光通过谐振腔两端反射镜的透射损耗，用 表示。 单程总损耗： 其中 为反射面平均反射率 LD的增益由 得： 其中PN结的模体积：V= A d 反转