2 倒装焊固晶工艺.pptVIP

预成型片 通过冶金法加工Au-Sn预成型片,相对便宜且易于实现,但很难 加工成焊接所需的很薄的焊片 蒸渡、溅射 采用溅射或蒸等真空沉积技术,可以提供更好的过程控制并能 减少氧化,但是成本高且加工周期长。 电镀 由于镀速缓慢且成分不能精确控制，在芯片上直接电镀制备 Au-20Sn 共晶凸点比较困难.目前采用的是连续电镀方式,即先镀 Au接着镀Sn,其外层的Sn易被氧化,共熔后Au-Sn的组分不好控制。 3 Au-Sn共晶的制备方法 3 Au-Sn共晶的制备方法 电镀工艺流程 3 Au-Sn共晶的制备方法 Au/Sn:10μm/10μm 150℃时效(a)5h; (b)10h 3 Au-Sn共晶的制备方法 Au/Sn:10μm/10μm 150℃时效(c)15h; (d)20h 3 Au-Sn共晶的制备方法 Au/Sn:10μm/10μm 150℃时效(e)25h 3 Au-Sn共晶的制备方法 Au/Sn:9μm/6μm 回流(a)10s; (b)60s 其实倒装晶片之所以被称为“倒装”是相对于传统的金属线键合连接方式（Wire Bonding）与植球后的工艺而言 的。传统的通过金属线键合与基板连接的晶片电气面朝上，而倒装晶片的电气面朝下，相当于将前者翻转过来， 故称其为“倒装晶片”。 目前GaN 基外延衬底材料有两大类：一类是以日本“日亚化学”为代表的蓝宝石；一类是美国 CREE 公司为代表的 SiC 衬底。传统的蓝宝石衬底GaN 芯片结构如图1 所示，电极刚好位于芯片的出光面。在这种结构中，小部分 p-GaN 层和“发光”层被刻蚀，以便与下面的 n-GaN 层形成电接触。光从最上面的 p-GaN 层取出。p-GaN 层有限的电导率要求在p-GaN层表面再沉淀一层电流扩散的金属层。这个电流扩散层由 Ni 和 Au 组成，会吸收部分光，从而降低芯片的出光效率。为了减少发射光的吸收，电流扩展层的厚度应减少到几百纳米。厚度的减少反过来又限制了电流扩散层在 p-GaN层表面均匀和可靠地扩散大电流的能力。因此这种p 型接触结构制约了LED 芯片的工作功率。同时这种结构pn结的热量通过蓝宝石衬底导出去，导热路径较长，由于蓝宝石的热导系数较金属低（为3 5 W / m ·K ），因此，这种结构的 L E D 芯片热阻会较大。此外，这种结构的p电极和引线也会挡住部分光线进入器件封装，所以，这种正装 LED 芯片的器件功率、出光效率和热性能均不可能是最优的。为了克服正装芯片的这些不足，Lumileds Lighting公司发明了倒装芯片（Flipchip）结构，如图 2 所示。在这种结构中，光从蓝宝石衬底取出，不必从电流扩散层取出。由于不从电流扩散层取光，这样不透光的电流扩散层可以加厚，增 * 剪切力随着超声功率、超声时间以及压力的增加而增加, 只要这三者在合理的范围之内, 焊接的机械强度就会随超声功率、超声时间以及压力的增加而有所增强。这是因为增大压力可以加大实际有效接触面积, 增强超声功率即加 强 振 动 幅 度 可 以 提 高 摩 擦 强度, 延长超声时间则可以同时增强这两者。但另一方面, 当有效接触面积和摩擦强度都达到临界值之后, 即使再增强超声和压力也不会提高焊接强度 * 富锡的共晶合金质地较脆,甚至在回流以后冷却至室温的过程中都有可能出现裂纹,因此IOwt%Au一90wt%Sn共晶焊料的应用受到了限制。80wt%An一20wt%sn由于金含量很高(80%),焊接时氧化程度低,因此可以实现免助焊剂焊接及其优异的力学性能受到研究者的广泛重视.屈服强度高;导热性能好(导热系数为57W/(m义K),而导热性能好的材料尤其适用于大功率器件的封装;润湿性能好;电迁移现象不明显;抗腐蚀性能好;焊接接头强度高;没有明显的热疲劳;抗蠕变性能好和有良好的持久强度. 其优良的导热和导电性、润湿性、耐腐蚀性和抗蠕变性，以及在焊接中无需助焊剂等优点在倒装芯片技术中得到了广泛应用 * LED倒装芯片与 倒装焊工艺 主讲人：徐广岁 Contents 倒装结构LED芯片 1 倒装固晶工艺 2 Au-Sn共晶的制备方法 3 1 倒装结构LED芯片 正装/倒装芯片结构对比 器件功率 出光效率 热性能 传统正装封装结构 金线拉力≈10g 电性连接点接触，瞬间大电流冲击易烧断 ` 倒装无金线封装结构 芯片推力2000g; 电性连接面接触，可耐大电流冲击 高可靠性 -机械强度 -散热性能 1 倒装结构LED芯片 倒装无金线封装结构 金属——金属界面，导热系数高，热阻小。 传统正装封装结构 银胶热阻较高 蓝宝石层在芯片下方，导热差 ` 物料 导热系数(W/(m·K)) 蓝宝石 35-36 银胶 2.5-30 物料 导热系数(