第十一章 半导体器件物理 复习纲领.doc

第一章 1试画出金属及半导体相对真空能级的能带图，并标出有关电势符号加以说明？ 2当金属－半导体紧密接触以后，如何建立统一的费米能级Ef？ 说明Фb＝Φm－Χs的物理意义是什么？ 3说明公式qΦs＝qΧs＋q（Ec－Ef）的物理意义？ 4什么是“肖特基势垒”？写出其表达式？它是对什么区域电子而言？ 5金属－半导体结的正偏如何？ 6金属－半导体结的反偏特性如何？ 7肖特基势垒qΦb是金半结什么偏置下建立的？ 8金半的1/c2～(VR+Φ0)曲线是什么原理制作？ 9金半1/c2～V曲线有何应用？ 10什么是界面态？ 11表面态对E0Ef及 E0Ef时对金半自建场有何影响？ 12试简述金半I－V的电流输运理论？ 13从热电子发射出发说明dn=N(c)·f(E)·dE的物理意义？ 14试简述热电子发射理论求得的电流方程式I0=ART2exp(-ｑΦm/KT)是如何建立的？ 15有金属－真空系统推倒的电流公式可用于M－S结吗？ 16写出金半的正偏、反偏及总的电流表达式？ 17如何从S－M结上的I－V特性曲线求I0及Φb? 18什么是镜像力？它对电势有何影响？ 19在M－S结中镜像力对金属的势垒有何影响？ 20在M－S结的反偏时，其实际值与理论值差异是如何形成的？写出修正式？ 21试画出MIS结的能带图，并说明MIS对半导体势垒的影响？ 22MIS二极管的传导电流何种特性？写出其电流表达式？ 23MIS的氧化层对载流子有何影响？ 24什么是SBD二极管？有何特点？举例IC及高频方面的应用？ 25什么是欧姆接触（非整流的MS结）？ 26画出N型半导体或P型半导体形成欧姆接触能带图，并作说明。 27为什么说实际欧姆接触仅是一种近似？电流机制是什么？ 28获得良好的欧姆接触的工艺措施是什么？ 29SBD二极管“周边效应”有何影响？ 30SBD二极管的改进结构如何？ 31什么是异质结？ 第二章 1什么是PN结？什么是平衡PN结？ 2画出平衡PN结的能带图，并说明PN结平衡的标志是什么？ 3平衡结的空间电荷区是如何建立的，作图说明。 4作图说明PN结空间电荷区中的电荷分布情况。 5泊松方程是描述什么情况？ 6PN结P型中性区和N型中性区中的电势表达式如何？ 7试推导平衡PN结的自建电势ψ0表达式。 8什么叫单边突变结？什么样的结可作单边突变结近似？ 9何为“耗尽近似”？写出“耗尽近似”下的PN结中性区的泊松方程。 10试证明单边突变结的势垒区最大电场式。 11试证明单边结势垒区的电子电势能表达式。 12是非平衡结？ 13线性缓变结有和特点？写出电荷分布式及电势表达式。 14试作图说明外加电压对费米能级的影响。 15非平衡PN结中准费米能级分裂说明什么问题？ 16PN结正偏于反偏对势垒区电场有何影响？ 17试写出平衡结边界上少子浓度表达式。 18证明非平衡结正偏小注入条件下少子浓度表达式。 19画出正偏PN结少子注入分布图象并作说明。 什么是正偏（小注入）的扩散近似？ 21试从“扩散近似”推导正偏时，空穴和电子的扩散方程。 22试从空穴（少子）的扩散方程推导正偏下的空穴电流式。 23推导电流公式时采用了哪些假设条件？ 24PN结的电流是如何满足电流的连续性原理的？ 25PN结的电流中少子电流于多子电流是如何转换的？ 26试画出PN电流的分布图象（包括少子与多子的电流）？ 27试画出PN结的I—V曲线，并从电流式进行说明？ 28在正偏PN结中，可出现PNni有何影响？ 29势垒区的复合最大速率在什么情况下产生？ 30试推出PN势垒区复合电流式：Irec=IRev/2Vt. 31试从PN结正偏电压大小(即电流水平高低)分析I—V曲线. 32在反偏PN结中,可出现 33重掺杂的PN结PN结能带有何影响? 34隧道结的高掺杂区的杂质浓度在什么水平? 35试说明隧道二极管的I—V曲线特征是什么? 36图为隧道二极管I—V曲线,试分别说明图中 A----G各点原因是什么?(画能带图) 37隧道管中负阻现象产生原因? 38写出电流式,说明式中各项原因? 39PN势垒电容的含义是什么? 40写出势垒电容C与Nd及VR关系的表达式？ 41试推导关系式 42如何利用曲线求杂质分布？ 43如何利用关系求势垒宽度W？ 44如何利用曲线求C 45变容二极管有何特征？ 46什么是PN结击穿？PN结击穿时均发生烧毁吗？ 47试说明PN结的“齐纳击穿”机理？ 48什么是PN结的血崩击穿？ 49反偏PN结中载流子“倍增效因”是什么意思？ 50“电离率”如何定义？ 51“雪崩击穿”与“齐纳击穿”有何区别？ 52试推导。 53写出PN结的雪崩击穿和掺杂浓度或杂质梯度的关系式，并说明改善的措施是什么？ 54PN结的结面形状影响雪崩击穿Vb吗？为什么？ 55什么是穿通电压？ 第三章 1半