光通信第3章..PPT

第3章　通信用光器件 3.1.1　半导体激光器工作原理和基本结构　　半导体激光器是向半导体PN结注入电流，实现粒子数反转分布，产生受激辐射，再利用谐振腔的正反馈，实现光放大而产生激光振荡的。激光，其英文LASER就是Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation(受激辐射的光放大)的缩写。所以讨论激光器工作原理要从受激辐射开始。 　　1. 受激辐射和粒子数反转分布　　有源器件的物理基础是光和物质相互作用的效应。在物质的原子中，存在许多能级，最低能级E1称为基态，能量比基态大的能级Ei(i=2, 3, 4 …)称为激发态。电子在低能级E1的基态和高能级E2的激发态之间的跃迁有三种基本方式(见图3.1)：　　(1) 受激吸收。 (2) 自发辐射。 (3) 受激辐射。 　　产生受激辐射和产生受激吸收的物质是不同的。设在单位物质中，处于低能级E1和处于高能级E2(E2E1)的原子数分别为N1和N2。当系统处于热平衡状态时，存在下面的分布 式中，k=1.381×10－23 J/K，为玻尔兹曼常数，T为热力学温度。由于(E2－E1)0，T0，所以在这种状态下，总是N1N2。这是因为电子总是首先占据低能量的轨道。受激吸收和受激辐射的速率分别比例于N1和N2，且比例系数(吸收和辐射的概率)相等。如果N1N2，即受激吸收大于受激辐射。当光通过这种物质时，光强按指数衰减，这种物质称为吸收物质。 　　如果N2N1，即受激辐射大于受激吸收，当光通过这种物质时，会产生放大作用，这种物质称为激活物质。N2N1的分布和正常状态(N1N2)的分布相反，所以称为粒子(电子)数反转分布。　　 2. PN结的能带和电子分布 　半导体是由大量原子周期性有序排列构成的共价晶体。在这种晶体中，由于邻近原子的作用，电子所处的能态扩展成能级连续分布的能带。晶体的能级谱在原子能级的基础上按共有化运动的不同分裂成若干组，每组中能级彼此靠近，组成有一定宽度的带，称为能带。形成共价键的价电子所占据的能带称为价带（低能带），而价带上面临近的空带（自由电子占据的能带）称为导带（高能带）。二者之间的区域称为禁带。 　　3. 激光振荡和光学谐振腔　　粒子数反转分布是产生受激辐射的必要条件，但还不能产生激光。只有把激活物质置于光学谐振腔中，对光的频率和方向进行选择，才能获得连续的光放大和激光振荡输出。　　基本的光学谐振腔由两个反射率分别为R1和R2的平行反射镜构成，并被称为法布里-珀罗(F-P，Fabry Perot)谐振腔。由于谐振腔内的激活物质具有粒子数反转分布，可以用它产生的自发辐射光作为入射光。入射光经反射镜反射，沿轴线方向传播的光被放大，沿非轴线方向的光被减弱。反射光经多次反馈，不断得到放大，方向性得到不断改善，结果增益大幅度得到提高。 　　另一方面，由于谐振腔内激活物质存在吸收，反射镜存在透射和散射，因此光受到一定损耗。当增益和损耗相等(满足振幅平衡条件)时，在谐振腔内就会建立稳定的激光振荡，其阈值条件为 式中，γth为阈值增益系数，α为谐振腔内激活物质的损耗系数，L为谐振腔的长度，R1、R21为两个反射镜的反射率。　　　　 　　4. 半导体激光器基本结构　　半导体激光器的结构多种多样，基本结构如图3.5示出的双异质结(DH)平面条形结构。这种结构由三层不同类型半导体材料构成，不同材料发射不同的光波长。图中标出所用材料和近似尺寸。结构中间有一层厚0.1~0.3 μm的窄禁带P型半导体，称为有源层；两侧分别为宽禁带的P型和N型半导体，称为限制层。三层半导体置于基片(衬底)上，前后两个晶体介质里面作为反射镜构成法布里-珀罗(F-P)谐振腔。 3.1.2　半导体激光器的主要特性　　1. 发射波长和光谱特性　　半导体激光器的发射波长取决于导带的电子跃迁到价带时所释放的能量，这个能量近似等于禁带宽度Eg(eV)，由式(3.1)得到 h f=Eg式中，f=c/λ，f (Hz)和λ(μm)分别为发射光的频率和波长，c=3×108 m/s为光速，h=6.628×10－34 J·s为普朗克常数，1 eV=1.6×10-19 J，代入上式得到 　　2. 激光束的空间分布　　激光束的空间分布用近场和远场来描述。近场是指激光器输出反射镜面上的光强分布，远场是指离反射镜面一定距离处的光强分布。图3.8是GaAlAs-DH激光器的近场图和远场图，近场和远场是由谐振腔(有源区)的横向尺寸，即平行于PN结平面的宽度w和垂直于结平面的厚度t所决定，并称为激光器的横模。由图3.8可以看出，平行于结平面的谐振腔宽度w由宽变窄，场图呈现出由多横模变为单横模；垂直于结