第2B章金属半导体接触.pdfVIP

金属半导体和异质结 Metal–Semiconductor and Semiconductor Heterojunctions In this chapter, we will: ■Determine the energy-band diagram of a metal–semiconductor junction. ■Investigate the electrostatics of the rectifying metal–semiconductor junction, which is known as the Schottky barrier diode. ■Derive the ideal current–voltage relation of the Schottky barrier diode. ■Discuss differences in the current transport mechanism between the Schottky barrier diode and pn junction diode, and discuss differences in turn-on voltage and switching times. ■Discuss ohmic contacts, which are low-resistance, nonrectifying metal– semiconductor junctions. ■Investigate the characteristics of a semiconductor heterojunction. 1 肖特基势垒二极管 20世纪初期，金属半导体表面接触在一起后形成二 极管称为点接触二极管； 金属功函数：真空中静止电子的能量E0与金属的费米能级（Ef ）之差。它 表示一个起始能量为费米能级的电子由金属内部逸出到真空中所需最小能 量。它的大小范围从铯的1.93ev到铂的5.36ev。 电子亲和能：是指真空的自由电 子能级与导带底能级之间的能量 差，也就是把导带底的电子拿出 到真空去而变成自由电子所需要 的能量。 为维持费米能级连 续，半导体中的电子 流向金属，在半导体 表面形成耗尽区-正 电荷，能带向上弯曲 该势垒为肖特基势垒 the Schottky barrier 内建电势差 反偏： 正偏： 1.2理想结特性 空间电荷区电场，求解泊松方程 x=xn,E=0 对均匀掺杂半导体，场强是距离的线性函数 金属半导体接触处场强最大，金属中场强为零 金属中存在表面负电荷 空间电荷区宽度W 单位面积电容C’ 可求解Vbi,Nd 肖特基势垒高度： Nd掺杂浓度 1.3 电流电压关系 金属半导体结中的电流输运不同于pn结中少子决定 电流的情况。 取决于多数载流子。N型半导体整流接触- 电子运动 通过势垒。 肖特基势垒二极管与pn结二极管的比较 1、反向饱和电流密度，肖特基势垒二极管比pn结大 几个数量级；由于输运机构不同。例9.5 2 、内建电势差-开启电压不同 3、开关特性：肖特基二极管是 多子器件，不存在扩散电容； 不存在转换时的存储效应。 欧姆接触 METAL–SEMICONDUCTOR OHMIC CONTACTS 任何半导体器件都要与外部接触，这种接触通过欧姆接触 实现 欧姆接触形成的电流电压关系-线性函数，电压很低！ 两种常见接触：1、非整流接触，2 、利用隧道效应制造的 理想非整流接触 上一节讨论了φmφs金属与半导体接触； 同样φmφs情况下？ φmφs 电子从金属流向半导 体，半导体表面过量 电子电荷，电子堆积。 能带向下弯曲。 金属加正压，不存在 电子从半导体流向金 属的势垒.电子容易从 半导体流向金属。 如果半导体加正压， 电子流向金属的势垒 近似φBn= φn,此时电 子很容易从金属流向 半导体。 对p型半导体，φmφs,刚接触时电子从半导体流向