电力电子器件6章.ppt

第六章 功率场控器件 第一节 功率MOSFET 第二节 IGBT和MCT 第一节 功率MOSFET Power Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 第二节 IGBT和MCT Insulated Gate Bipolar Transistor MOS Controlled Thyristor 第一节 功率MOSFET Power Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 第二节 IGBT和MCT Insulated Gate Bipolar Transistor MOS Controlled Thyristor 第三时期: 漏源电压接近于稳态值， 输入电容恢复到与第一时期的输入电容值相近， 栅压的上升速率与第一时期的上升速率相近， 上升较快。此时VDMOS充分导通。 B. 关断过程: 驱动电压突降至零，器件进入关断过程， 同理可以分析三个时期的特性。 VDMOS的开关时间常数为数十到一二百纳秒， 比双极器件的短很多。 VDMOS靠多数载流子导电， 不存在少子存储效应， 其关断过程很快，VDMOS开通感应沟道也快 （BJT开通也快）。其工作频率高。 由RC时间常数决定。 其物理意义为：工作频率与输入电容成反比， 大电流器件必须用大面积芯片， 而大面积芯片必带来大电容问题， 电容越大必然导致频率的降低。 这是器件中功率与频率的矛盾。 电子在沟道和漂移区中的渡越速度是 决定工作频率上限 fmax 的主要因素。 工作频率与击穿电压间也是一对矛盾。 （四）.特性参数表: 书127页。 当漏源加有高压时，VDMOS严禁栅源开路。 三.功率MOSFET的可靠性问题: dv/dt 效应和静电效应。 （一）. dv/dt 效应: （过高的 dv/dt 诱发VDMOS中寄生BJT的 二次击穿） 1.第一种 dv/dt 误导通模式: （不易损坏器件）①UGS→UT→IDS不大 ②VDMOS一旦误导通后→dv/dt↓ 栅压为零，器件处于关断状态： 外加漏源dv/dt→Cgd→IM1→Ugs↑→ Ugs＞UT→误导通 若电压变化很快，使 IM 1 大到通过栅极电阻Rg 上的压降 Ugs 超过开启电压 UT ， 则功率MOSFET被误导通。 这种模式中的临界 dv/dt 值为 。 公式表明：在dv/dt工作条件下，应采取措施: ①设计阻抗很低的栅极驱动电路； ②避免高温运行（因为T↑→ UT ↓）。 ★※★：VDMOS禁止栅源开路态工作！！！ 栅源短路时的VDMOS的dv/dt耐量高！ VDMOS开路时→ Rg = ∞→ dv/dt 耦合→ Ugs↑↑→ SiO2被击穿。 2. 第二种 dv/dt 误导通模式:（易损坏器件） VDMOS在自关断过程中（尤其感性负载下）， 过大的dv/dt 容易诱发寄生双极晶体管的二次击穿。 斜坡电压 U(t) ，通过电容 Cds 在栅源回路中 产生一位移电流 IM 2 ， 若电压变化很快，使 IM 2 在电阻 Rb 上产生的压降足以 使寄生晶体管的发射结正向导通，寄生晶体管被开通。 主器件的漏源间有电流通过。若 IM 2 × Rb ＞0.7伏， 寄生 N+PN 双极晶体管激活开通，此时，若BJT集电结 雪崩击穿，易诱发BJT的二次击穿→导致VDMOS损坏。 这种模式中的临界 dv/dt 值为 表明：①该模式中 Rb 的作用非常明显，它决定误导通的 临界 dv/dt 值和二次击穿的电压高低。 Rb ↓：BUCER→ BUCBO （一般BUCER=0.6 BUCBO) Rb ↑： BUCEO ←BUCER ( Rb = ∞ )