第六章 微机存储器系统.pptVIP

学习目标： 了解半导体存储器的分类、组成及组成部件的作用，掌握存储系统的层次结构。 理解SRAM、DRAM芯片的组成特点、工作过程、了解典型芯片的适用范围。 掌握半导体存储器与CPU的连接。 微型机的存储系统 Cache存储系统 解决速度问题 虚拟存储系统 解决容量问题 存储器的层次结构 微机拥有不同类型的存储部件 由上至下容量越来越大，但速度越来越慢 两大类——内存、外存 内存——存放当前运行的程序和数据。 特点：快，容量小，随机存取，CPU可直接访问。 通常由半导体存储器构成 RAM、ROM 外存——存放非当前使用的程序和数据。 特点：慢，容量大，顺序存取/块存取。需调入内存后CPU才能访问。 通常由磁、光存储器构成，也可以由半导体存储器构成 如硬盘，软盘，光盘，U盘 高速缓存器Cache Cache实际是主存一部分内容的复制。 CPU在某一小段时间内要执行的程序，事先从主存储器调入高速缓存区。当CPU执行这些程序时，直接从高速缓存区中取得。减少访问低速主存储器的次数，从而提高了CPU执行指令的速度。 高速缓存器容量远小于低速大容量主存储器，所以它不可能包含后者的所有信息。高速缓存器设计的目标就是使CPU访问尽可能在高速缓存器中进行。 “读”操作工作过程 （1）送地址 — CPU通过地址总线将地址送入地址寄存器，并译码； （2）发出“读”命令 — CPU通过控制总线将“存储器读”信号送入读/写控制电路； “写”操作工作过程 （1）送地址 — CPU通过地址总线将地址送入地址寄存器，并译码； （2）发出“写”命令 — CPU通过控制总线将“写”信号送入读/写控制电路； 6.1.4 存储器的技术指标 1 存储容量：是指一块存储芯片上所能存储的二进制位数。图 2 存取周期：通常指连续存入或取出两个数据所用间隔的时间 3 取数时间：从CPU发出读命令开始，到存储器获得有效读出信号的一段时间。 4 可靠性：通常以平均无故障工作时间MTBF （Mean Time Between Failures）来衡量，MBTF越长，表示可靠性越高。 5 经济性：常以“性能价格比”来衡量 假设存储芯片的存储单元数是M， 一个存储单元所存储的信息的位数是N，则其存储容量为M×N。 例题 1、已知单片6116芯片的地址线是11位， 每个存储单元是8位，求其存储容量? 例题 2、若要组成64K字节的存储器，以下芯片各需几片? ①6116(2K×8) ②4416(16K×4) 区别：芯片的存储容量和微机的存储容量 微机的存储容量 —— 由多片存储芯片组成的总存储容量。 ①微机的最大内存容量 —— 由CPU的地址总线决定。 如：PC486，地址总线是32位， 则，内存容许最大容量是232=4G； ②实际的装机容量 —— 由实际使用的若干片存储芯片组成的总存储容量。 由能够表示二进制数“0”和“1”的、具有记忆功能的一些半导体器件组成。如触发器、MOS管的栅极电容等。 能存放一位二进制数的器件称为一个存储元。 若干存储元构成一个存储单元。 6.2.1 随机读写存储器RAM 双极型RAM的特点： 存取速度高； 集成度较低(与MOS相比)； 功耗大； 成本高。 所以，双极型RAM主要用在速度要求较高的微型计算机中或作为Cache。 MOS RAM: 静态RAM：速度快（比DRAM快2~3倍），集成度低，价格高。常用于制作Cache 动态RAM：速度低，集成度高，价格低。需要刷新。应用于内存条、显存等。 SRAM（staic RAM）静态RAM 基本存储电路是双稳态电路，由6个MOS场效应晶体管组成。利用半导体触发器的两个稳定状态表示“1”和“0”。如图六管静态存储电路。 DRAM（Dynamic RAM）动态RAM 思想：由于MOSFET栅极电阻很高，即使去掉Vcc和负载管，VF1和VF2栅极上的电荷也能维持一定时间，只要加上栅极电容，靠其电荷来维持数据的存储即可。单电容电荷会放电，因此需刷新电路。 利用电容端电压的高低来表示“1”和“0”。 DRAM（内存条）按内存的不同标准分： 》RDRAM 》SDRAM 》DDR SDRAM DDR SDRAM Masked ROM（Read-only memory）：掩膜只读存储器，程序在生产时固化，再不能被擦除 PROM：一次性可编程的ROM EPROM (Erasable-and-programmable ROM)：可擦除可编程ROM UVEPROM： 紫外线可擦除的 EEPROM： 电可擦除的 快速擦写存储器Flash Memory ：又称快闪存储器 主要特点：结合各种存储设备的最优特性