第1章光电半导体技术发展与应用趋势-光电科技工业协进会.PDF

第 1 章 光 電 半 導 體 技 術 發 展 與 應 用 趨 勢 1 - 1 第 1 章 光電半導體技術發展與應用趨勢 光 電 半 導體元件隨著奈米與量子點的技術發展，其發光與電光 轉 換 之 效 率 也不斷提高。而在應用無論是照明或能源方面更會繼續 擴 大 。 基 本 上，光電半導體的技術與應用趨勢是循著上述的趨勢發 展。 1-1 LED 技術發展動態與應用趨勢 LED 除了發光效率與亮度的提升之外，其他諸如各式應用，以 及紫外波段的開發也是為人所注目。 低折射率奈米棒層改善 LED 取出效率（ Extraction Efficiency ） GaN LED 的開發已將固態光源推進到藍色和紫外光，並且產生 白光 LED 。就固態光源的使用壽命和能量使用來看，白光 LED 未來 將 取 代 一 般 照 明 應 用 之 傳 統 的 光 源 ， 其 中 白 光 LED 的 效 率 必 須 改 善，才能達成此一目標。 美 國 紐 約 的 Rensselaer Polytechnic Institute (RPI) 和 南 韓 Samsung Advanced Institute of Technology 發展出新的多層全方向反 射面 (multilayer omnidirectional reflector) ，可以改善LED 取出效率 以增強亮度。 圖 1-1-1 銦錫氧化物奈米棒 資料來源： Jingqun Xi 全方向反射面 (omnidirectional reflector) 被認為是某種分佈式的 布拉格反射 (Bragg reflector) ，傳統的布拉格反射是由具有不同反射 第 1 章 光 電 半 導 體 技 術 發 展 與 應 用 趨 勢 1 - 2 率的交互材料層所組成，折射率的對比 (index contrast) 決定了反射係 數 (reflectance) 和裝置的光譜寬度，在新的 ITO 奈米棒多孔層的結構 下 ， 使 其 能 夠 成 為 一 個 低 反 射 率 層 。 研 究 人 員 使 用 oblique-angle electronbeam deposition 來建造 ITO 奈米棒層，讓基板對化學氣體保 持 80° 之角度，自然的氣體波動會在基板上產生凸塊。每一凸塊創造 出一個預先之沈積區段和一個有陰影的地帶，結果讓 ITO 奈米棒層 延著充滿空氣的細孔散置成長。 細微結構對於材料的性質有相當大的影響。一個固體連續之 ITO 層 是 具 有 導 電 性 的 ， 並 且 在 461nm 有 2.06 的 折 射 率 。 低 折 射 率 (low-refractive-index) 的 奈 米 層 也 保 有 其 導 電 性 ， 但 是 在 461nm 有 1.34 的 折 射 率 ， 較 SiO2 為 低 。 而 SiO2 在 以 前 之 全 方 向 反 射 面 (omnidirectional reflector) 中是被當作低折射率層。 最 近 的 一 系 列 實 驗 中 ， 科 學 家 們 將 反 射 面 加 入 到 一 個 474nm GaInN LED 中。在 P 型的 GaN 接點面上，沈積厚度為四分之一波長 厚度之 ITO 奈米棒。ITO 的粗糙表面是以一厚度為 20nm 的孔洞層來 加以平滑化，並以厚度為 200nm 的鍍銀層來完成輸出反射面。在加 強的反射性和較低的損失之波導模態 (waveguide mode) 下，相對於無 低反射率之奈米棒層的 GaN ，增加了 32% 的光輸出，而這個沉積的 方法也不只用在 ITO 這個材料上，RPI 的教授 E. Fred Schubert 認為， 這種交互的低反射率層之 SiO2 ／ TiO 2 奈米棒，對於有效率的分佈式 Bragg reflector 也是有相同的結果，這新種類之材料的附加應用，也 可使用在塗佈、過濾和共振腔上。