CdS及其稀土掺杂纳米带的制备与发光性质的研究.pdfVIP

陈海燕 等 ：CdS及其稀土掺杂纳米带的制备与发光性质 的研究 CdS及其稀土掺杂纳米带的制备与发光性质的研究 陈海燕 。，杨晓玲 ，罗庇荣 ，刘应开 (1．云南师范大学 物理与电子信息学 院，云南 昆明 650092；2．福建水利电力职业技术学院，福建 永安 366000) 摘 要 ： 采用热蒸发法制备 CdS及其稀土掺杂的纳 杂的纳米带 (CdS：Ce抖 、CdS：Er抖)，并利用扫描 电 米带 (CdS：Ce抖、CdS：Er抖)。利用扫描 电子显微镜 子显微镜 (SEM)和 X射线衍射仪 (XRD)进行表征 ，研 (SEM)、X射线衍射仪 (XRD)和荧光光谱仪 (PL)对纳 究各稀土掺杂对纳米带尺寸 、形貌和结构 的影响。利 米带的形貌、晶体结构和发光性质进行 了表征和分析。 用荧光光谱仪 (PL)测试各纳米带的光致发光谱 ，研究 结果表明，所制备的纳米带的外形规则，表面光滑、平 CdS纳米带的发光特性以及各稀土掺杂对纳米带发光 整 ，纳米带的厚度大约在 2O～6Onot范围内；纳米带具 性质的影响 。 有六方结构，晶格常数 a一0．414nm、c一0．671nm；CdS 2 实 验 纳米带的光致发光谱的谱峰位于 405nm 左右 ；CdS： Ce。纳米带的光致发光谱 的谱峰位 于 523和 535nm 试验在 自行改造 的真空管式高温实验炉 中进行 ， 处；CdS：Er件纳米 带的光致发光谱 中观察到 3个强 图1是该设备 的示意 图。刚玉管长 1200mm、内径 的发光峰，分别位于 525、556和 582nm 处 。 80ram，石英管的内径是 65mm。把试验 的原材料放在 关键词 ： CdS；稀土掺杂；纳米带 ；光致发光 坩埚 中，再将坩埚放在石英管 中并使原材料位于炉子 中图分类号： O472．3；0614．242 文献标识码 ：A 的高温 区。试验 中用于原位收集 CdS纳米带 的衬底 文章编号：1001-9731(2O10)01-0ll5-03 为抛光的硅片 ，将其切成 10ram ×10ram大小 ，分别在 丙酮 、乙醇 、氢氟酸和去离子水 中清洗 20min，晾干后 ， 1 引 言 放在石英管 中距坩埚 300mm处 。 CdS是一种典型的 Ⅱ一Ⅵ族直接带隙半导体化合 物 ，常温下禁带宽度为 2．42eV，具有优异 的光电转换 特性和发光性能 。将 CdS纳米化 ，能赋予这种材料异 于块材和单个分子的特殊性质。量子尺寸效应使 CdS 禁带宽度变大 、吸收和荧光光谱蓝移 ；表面效应 引起 CdS纳米粒子表面原子输运和构型的变化 ，同时引起 表面电子 自旋构象和电子能谱 的变化 。纳米结构 的 CdS表现出更加优异的光电性能，在发光二极管、太阳 能电池、光 电显示器件等方面具有潜在 的应用口]。 Fig1Schemeofthetubefurnace Xu等l3利用 电化学沉积的方法在有序氧化铝孑L洞 中 试验前先对系统抽真空，当真空度达到 0．133Pa 制备了硫化镉纳米线阵列体系。Cao等[4用 sol—gel法 时，以30ml／min的流量向系统中通入纯氮气 ，当气压 合成巯基乙酸修饰的六方单晶CdS纳米线阵列。Liu 达到 1．01×10Pa时，停止通气并保持 10min，然后再 等_l5采用 Si片做基底 ，用热蒸发方法制备了CdS纳米 用真空泵抽真空，最后再通入纯氮气 ，这样重复 3次排 带。K．Sreejithl6研究小组用热蒸发方法 ，在 Ag的催 尽管 中的空气 ；再以 30ml／min的流量 向系统 中通入 化剂作用下制备了CdS纳米带。 纯氩气，并保持炉 内压强为 2×10Pa，氩气 的流 向是 稀土元素具有丰富的能级和独特 的 4f电子壳层 从高温区(蒸