CdS纳米晶薄膜的制备及光电性能研究.pdfVIP

320 助 财 抖 2010年增刊1I(41)卷 CdS纳米晶薄膜的制备及光 电性能研究 盂 旭 ，卢永娟。，丁 勇 ，崔锦峰 ，杨保平 ，贾均红 (1．兰州理工大学 石油化工学院，甘肃 兰州 730050； 2．中国科学院 兰州化学物理研究所 固体润滑 国家重点实验室，甘肃 兰州 730000) 摘 要： 利用化学浴沉积法，以N(CHzCH2OH)。为 入丙酮 、异丙醇 、超纯水 中超声洗涤 10min，N 吹干， 络合剂 ，Cd(CH3COO)2 ·2H。O和 (NH。)2CS为前驱 待用 。 体溶液制备 了CdS纳米 晶薄膜 ，利用 FESEM、XRD 2．2 CdS纳米晶薄膜的制备 考察 了前驱体浓度、络合剂浓度 、前驱体溶液 的PH 将 0．133gCd(CH3COO)2 ·2H2O，0．149g 值、反应温度等 因素对 CdS纳米 晶薄膜的表面形貌 、 N(CH CH OH)。溶解在 50mL水中，形成透 明澄清的 晶粒大小及晶体结构的影响 ，在最佳 工艺条件下可 以 溶液 ，滴加 0．1mol／I的H SO 或 NaOH调节 pH值 制得表面平整，结构致密的CdS纳米晶薄膜 。uV—Vis 为 10．0～10．5，加入 0．0381g的(NH2)2CS混合均匀 光谱表明CdS在短波长区域有较强的吸收，符合作为 后 ，待化学浴沉积使用。将洁净并干燥的 ITO导 电玻 窗口材料和过渡层的要求；光电性能测试表明CdS具 璃基底放入该溶液中，70℃下反应 3h。反应结束后将 有较好的光 电响应，呈特征 n型半导体特性 。 基底取出，超纯水冲洗 ，然后超声清洗约 10min，用 Nz 关键词： CdS纳米晶薄膜 ；化学浴沉积法 ；电化学 吹干，最后在 N 保护下200℃煅烧处理 1h。 中图分类号： 061；TB34 文献标识码 ：A 2．3 样 品的表征 文章编号：1001-9731(2010)增刊 1I一0320—04 利用 RigaKaD／max-RB 型 x 射 线 衍 射 仪 (CuKa)(XRD)进行薄膜 的晶体结构和物相组成分 1 引 言 析 ；利用 日本电子光学公司JSM一6701F冷场发射型扫 硫化物薄膜因在太阳能电池、太 阳能光热转化 (如 描电镜 (FESEM)进 行薄膜表面形貌分析；利用德 国 太阳能吸收层)、建筑物玻璃窗的辐射选择过滤层 、有 JenaSpectS0型UV—Vis分光光度计进行薄膜的光学 机高分子材料的电导薄膜等方面的潜在应用受到 了广 特性测试 ；利用 CHI660d型电化学工作站进行薄膜 的 泛的关注口]。CdS是一种重要的太 阳能 电池材料 ，由 光 电特性测试 。 于 CdS是直接 、中间带隙的光电材料 ，间隙能带为2．4 3 结果与讨论 eV左右，其吸收系数较高为 1o～10cnl ，所 以主要 作为薄膜太 阳能电池的窗 口材料l2]。目前 ，制备 CdS 3．1 硫化镉纳米晶薄膜沉积的影响因素 纳米膜的方法主要有物理方法和化学方法。物理方法 在实验中我们考察了前驱体浓度、络合剂浓度、前 包括分子束外延法[7]、溅射法l8]、真空蒸发法 [9】、金属 驱体溶液的pH值、反应温度等 因素对 CdS纳米晶薄 有机物化学气相沉积法_l1。等 ，这些方法存在的主要问 膜的表面形貌、晶粒大小及 晶体结构的影 响。研究表 题是设备昂贵 ，需要高纯的原材料，一般需要高温或高 明，这些条件对 CdS纳米 晶薄膜 的生成都有很大影 真空的实验条件 。而化学方法中的化