基于微孔SiO2栅介质的透明氧化物薄膜晶体管.pdfVIP

基于微孔SiOz栅介质的透明氧化物薄膜晶体管／颜钟惠等 ·33 · 基于微孔 SiO2栅介质的透 明氧化物薄膜晶体管 颜钟惠，王 瑶 ，吴国栋，轩瑞杰，李 想 (湖南大学微纳光电子器件及应用教育部重点实验室，长沙410082) 摘要 采用等离子增强化学气相沉积 (PECVD)法制备微孔 SiO2薄膜并将其作为栅介质，制作 了基于微孔 si()2栅介质层的透明氧化物薄膜晶体管。利用场发射扫描电镜、阻抗分析仪以及半导体分析仪对样品进行表征。结 果表明，微孔 siOz栅介质具有双电层效应，这种微孔Si0，栅介质透明氧化物薄膜晶体管器件具有工作电压低，开关 电流比大，透光性高，稳定性强等 良好性能。 关键词 微孔SiOz 双电层效应 透明氧化物 薄膜晶体管 中图分类号：TN321+．5 文献标识码 ：A TransparentOxideThinFilm TransistorsBasedonM icroporousSiO2GateDielectric YAN Zhonghu，WANGYao，WUGuodong，XUANRuijie，LIXiang (KeyLaboratoryofMicrc~NanoOptoelectronicDevicesofMinistryofEducation，HunanUniversity，Changsha410082) Abstract UsingmicroporousSiOefilm depositedbyplasmaenhanced chemicalvapordeposition (PECVD)as thegatedielectric，transparentoxidethin film transistorswereprepared．Thesampleswerecharacterizedbyfield emissionscanningelectronmicroscopy (FESEM )，impedanceanalyzer，andsemiconductorparameteranalyzer．The resultsexhibitthatthemicroporousSi02gatedielectrichasalargeelectric-double-layereffect，andthethinfilm tran— sistorsshowagoodperformancewithanultralow operatingvoltage，alargeon-offratio．Whatmore，lighttransmit— tanceandstabilityofthethinfilm transistorsarealsoexcellent． Keywords microporousSi02，electric-double-layereffect，transparentoxide，thinfilm transistor 注，然而绝大部分高介 电常数材料都需要高温退火工艺，这 0 引言 会增加制作工艺的成本。因此，一种具有双电层效应的新型 近年来，氧化物薄膜晶体管 由于有着高的光学透 明性以 栅介质材料l7]应运而生。这种栅介质和沟道之间由于双 电 及高载流子迁移率等性能已经成为一大研究热点。人们致 层效应而具有极强的界面电容，从而使得器件的工作 电压一 力于寻求不同的透明氧化物材料作为沟道层来提高晶体管 般在 3V 以内，成为了当前栅介质材料的最佳选择 。目前具 的器件性能，从最早的ZnO基薄膜晶体管到IZO(氧化铟锌) 有双电层效应 的栅介质材料多为有机 电解液 ，如 Takeya 基薄膜晶体管，再到后来的IZGO(氧化铟镓锌)基薄膜晶体 等[1o3选用 LiC10 与环氧乙烯合成的混合聚合物电解液作为 管等_1]。然而在很