器件参数测试项目介绍.pdf

器件参数测试项目介绍 西安后羿半导体科技有限公司 研发部 2016-12-05 www.hooyi.cc Excellent Quality Efficient Service 目录 1 器件的直流参数(DC)测试项目介绍 2 器件的交流参数(AC)测试项目介绍 For HOOYI use only Copyright © HOOYI SEMICONDUCTOR 2016. All rights reserved. www.hooyi.cc Page 2 直流参数(DC)测试 1 器件的直流参数(DC)测试项目介绍 2 器件的交流参数(AC)测试项目介绍 For HOOYI use only Copyright © HOOYI SEMICONDUCTOR 2016. All rights reserved. www.hooyi.cc Page 3 概述 对功率器件的晶圆进行晶圆级别测试 ，主要目的是早期就能发现在晶 圆制造过程中 ，由于工艺缺陷 ，设计缺陷等引起器件的参数失效 ，以避免 流入后续的工艺。超结器件的晶圆级别测试主要包含的测试项目有击穿电 压测试 （BVdss ），开启电压 （Vth ），导通电阻 （Rdson ），体二极管 的耐压测试 （Vsd ），栅极-源极漏电流测试 （Igss ），漏极-源极漏电流 测试 （Idss ），这些基本的晶圆级别测试 ，能在初期判断出器件参数的好 坏。 器件的直流参数测试 ，包括器件的晶圆级别测试 （CP测试 ），以及封 装好后的终端测试 （FT ）测试 ，评估器件的参数是否能达到设计要求。 For HOOYI use only Copyright © HOOYI SEMICONDUCTOR 2016. All rights reserved. www.hooyi.cc Page 4 1. BVdss测试： 主要是测试器件的漏极与源极间的击穿电压。在测试时 ，栅极 （gate ）与源极 （source ）短接 ，在漏极 （drain ）与源极 （source ）间施加电流 （Id=250uA ） 进行测试。测试原理及曲线如图1-1所示： 图1-1 BVdss测试原理图及实际测试曲线 上述的BVdss测试原理 ，适合脉冲测试和扫描测试 ，通过对BVdss扫描测试 ，能 看到所设计的器件是硬击穿 （hard break ）还软击穿 （soft break ），如果是硬击穿 ， 表示设计的器件性能达到要求 ，如果是软击穿 ，表示器件性能有问题 ，需要分析设计 和工艺的原因 ，以便能解决问题。 For HOOYI use only Copyright © HOOYI SEMICONDUCTOR 2016. All rights reserved. www.hooyi.cc Page 5 2. Vth测试： 主要是测试器件的栅极与源极间开启电压 ，在测试时 ，漏极与栅极极短接 ，在栅极与 源极间施加电压 ，当漏极与源极间的电流Id=250uA时 ，对应的栅极与源极间的电压 ，即 为开启电压 （Vth ）。测试原理图与曲线如图1-2所示： 图1-2 Vth测试原理图及实际测试曲线 For HOOYI use only Copyright © HOOYI SEMICONDUCTOR 2016. All rights reserved. www.hooyi.cc Page 6 3. Rdson测试： 主要是测试器件的导通电阻 （Rdson ）值的大小。在测试时 ，在栅极与源极之间施 加电压 （如Vgs= 10V ），在漏极与源极之间施加电流 （Id=1A ），测量出漏极与源极之 间的电压Vds ，在根据欧姆定律R=V/I