整合光辅助电化学穿孔蚀刻与微电铸技术应用于微金属柱阵列之研制.pdf

下载文档

3
0
约1.67万字
约 5页
2017-09-03 发布于天津
举报
版权申诉
保障服务

整合光辅助电化学穿孔蚀刻与微电铸技术应用于微金属柱阵列之研制.pdf

1、本文档共5页，可阅读全部内容。
2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。

整合光辅助电化学穿孔蚀刻与微电铸技术应用于微金属柱阵列之研制

論六年論 E01-0013 金列 1 2 2 2 李羅龍 1 立 2 立 NSC94–2622–E–003–003–CC3 110 100利 (z- ) 度 (ECE)精 90° 度金列離利度流度 Bosch ASE (advanced silicon etch) 度利精利力行金 (1200~2000/ ) 度金列來不易列利 ICP-RIEECE 了廉良率 IC量力都不 ICP-RIE 更不利行來ICP-RIE (ECE)利參數 (porous silicon) 利 [3-5] (HF) 洞列31.5 n-type 洞(hole) 100 2.5 wt.% 離金 40 洞洞 µm 12.5 利利 KOH 領金利金流金列利金度理洞 500 µm 12.5 行洞 100 諸洞流度 1. 洞率利