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FRAM 常见问题解答 1. 什么是FRAM？ FRAM 是ferroelectric random access memory （铁电随机存取存储器）的首字母缩写，它是非易失性存储器，即便在 断电后也能保留数据。尽管从名称上说，FRAM 是铁电存储器，但它不受磁场的影响，因为芯片中不含铁基材料 （铁）。铁电材料可在电场中切换极性，但是它们不受磁场的影响。 2. FRAM 较之闪存/EEPROM 具有哪些主要优势？ 1) 速度。FRAM 具有快速写入的特性。写入到FRAM 存储器单元的实际时间小于50ns，这超越了所有其他存储器的 类似操作。这大约比EEPROM 快 1000 倍。此外，与需要两步（写入命令和随后的读取/验证命令）才能写入数据的 EEPROM 不同，FRAM 的写入操作与读取操作发生在同一过程中。只提供一个存储器访问命令，实现读取或写入功 能。因此，与EEPROM 写入处理相关联的所有时间实际上在基于FRAM 的智能IC 中被有效地消除了。 2) 低功耗。在低电压下写入 FRAM 单元，并且只需很低的电流即可更改数据。对于 EEPROM，则需要高电压。 FRAM 使用非常低的电源电压1.5V，而EEPROM 则使用10-14V 电源电压。FRAM 的低电压意味着低功耗，同时 能够在更快的处理速度下实现更多功能。 3) 数据可靠性。 由于只需要少量能量，因此操作FRAM 所需的所有能量在数据写入开始时就被预先加载。这就避免 了“数据分裂” — 由于能源缺乏的关系导致部分数据在写入时被破坏。基于EEPROM 的智能IC 在写周期内被从射频 (RF) 磁场电源中移除时就会出现这种情况。此外，FRAM 还具有 100 兆次的写入/读取数或更多 远远超过了 EEPROM 的写入数量。 3. FRAM 在高温环境下的表现如何？ FRAM 是一项非常强大可靠的存储技术，即使在高温环境下也是如此。在温度为85 摄氏度时，FRAM 的数据保持时 间超过10 年。这远远超过政府的身份识别(ID)卡市场的要求，并展现了FRAM 的强健耐用的数据保持能力。FRAM 用于多种汽车电子应用中，并且已经被证明能够耐受极其恶劣条件。 4. FRAM 产品在升级时会有与闪存/EEPROM 相同的问题吗？ 与 FRAM 不同，闪存/EEPROM 采用浮栅电荷存储设计，该设计需要高电压和昂贵的、需要大量电能且占空间的电路， 例如晶体管和充电泵。所有这些传统高压电路的局限性在于不易于升级到越来越小的 IC 处理节点制造工艺。此外，TI 先进的 130 纳米(nm) FRAM 制造工艺生产出的芯片比大多数基于闪存和 EEPROM 的嵌入式微处理器所使用的180 – 220 nm 节点尺寸更小，从而使FRAM 产品在尺寸、性能和功效方面具有巨大优势。更需指出的是，FRAM 制造工艺 能够与数字CMOS 工艺完全兼容，从而使该技术在将来可轻松升级到更小的技术节点。 5. FRAM 会在读取后丢失数据吗？ 不会。FRAM 是一款非易失性存储器，即使在断电后也可保持其中的数据。与可在个人计算机、工作站和非手持游戏 控制台（例如 PlayStation 和Xbox ）的大型（主）存储器中使用的常用DRAM （动态随机存取存储器）类似，FRAM 也要求在每次读取后进行内存恢复。进行内存恢复的原因是FRAM 存储器单元要求在刷新功能中重新写入已访问的每 个位，这一点与DRAM 相同。 由于FRAM 具有无穷的写入次数（100 兆次写入/读取周期），因此我们并不需要对这 一点有太多顾虑。 6. 全新的嵌入式FRAM 存储技术是否带来了新的安全顾虑？ FRAM 已用于不断进化的财务智能卡和机顶盒应用中。 与现有EEPROM 技术相比，FRAM 在电场、辐射等环境中具 有更强的抗数据损坏能力。超快写入时间和 130 纳米(nm) 小处理节点使攻击者束手无策。此外，FRAM 的低功耗 （其读取功耗和写入功耗实际上是相同的）使攻击者更难以使用差分功率分析技术对其进行攻击。 7. FRAM 器件受磁场的影响吗？ 常见的一种误解是，人们认为铁电晶体中包含铁或是具有铁磁性或类似属性。术语“铁电”是指作为电压函数绘制的电荷 图（下图）与铁磁材料磁滞回线（BH 曲线）之间的相似性。铁电材料不受磁场影响。 8. FRAM 器件能够经受多强的电场？ FRAM 存储器单元通过将开关电压用于感应和恢复数据状态的方式工作。 PZT 铁电薄膜的厚度约为70nm。如果将该 器件放在距离50kV/cm 电场1cm 的位置上，则铁电薄膜中不可能产生大于1V 的电压。实际情况就是，FRAM 器