一种mfis 类结构的阈值电压新模型及其c —v 特性分析.pdf

( ) 第 44 卷 　第 1 期 复 旦 学 报 自然科学版 　 Vo1. 44 , 　No. 1 2005 年 2 月 Journal of Fudan University (Natural Science) 　 Feb. , 　2005 　 ( ) 　　文章编号 2005 　 　 　 一种 MFIS 类结构的阈值电压新模型 及其 C —V 特性分析 陈园琦 , 林殷茵 , 汤庭鳌 , 夏　立 (复旦大学 专用集成电路与系统国家重点实验室 , 上海 200433) 摘 　要 : 采用物理和数学分析相结合的方法 ,构建了 MFIS 结构阈值电压的一种新的解析模型 ,对此解析模型的 分析表明 ,铁电材料的介电常数越低 , 电滞回线的矩形度越好,MFIS 结构的存储特性越好. 由该模型进一步得到 了MFIS 结构的 C —V 曲线,对 C —V 曲线物理过程的分析表明,工作频率以及铁电电滞回线是否饱和对 C —V 特性有较大影响 ,而 C —V 曲线的窗口与MFIS 结构存储特性密切相关. ( ) 关键词 : 半导体技术 ; 不挥发存储器 ; 金属铁电层介质层半导体 MFIS ; 阈值电压; C —V 中图分类号: TN 403 　　 文献标识码 : A 　　 铁电存储器作为最具潜力的下一代不挥发存储技术之一成为研究的热点1 ,2 . 它具有抗辐射、操作速 度快可达 ns 量级、写操作次数可达 1012次以上、操作电压低无需电荷泵、功耗低等突出优点. 铁电存储器 ( ) ( ) 分为破坏性读出 DRO 和非破坏性读出 NDRO 两种方式 ,NDRO 方式基于MFS/ MFIS/ MFMIS 类结构 ,利用 铁电材料作为栅介质 ,当铁电极化状态发生变化时 ,源、漏电流的大小发生改变从而存储信息. NDRO 方式 除了具备铁电存储器所具有的共同优点外 ,与 DRO 方式相比优点在于 ,在读操作后不必重写电容的原状 态 ;不需反转 ,不易产生疲劳 ,因而读操作次数高;不需增加读出后使状态返回的电路 , 因此器件结构更加 简单 ,体积更小 ,集成度更高. ( ) 当前关于MetalFerroelectricInsulatorSemiconductor MFIS 类结构的研究 ,主要集中于基本结构的工艺 制作 ,关于器件的物理模型和数学分析的研究3 ～5 及器件特性的表征、分析都很少 ,但这部分工作对于器 件实现、性能改进及电路设计都有至关重要的意义. 已有文献中,关于 MFIS 的阈值电压和 C —V 曲线5 大都采用较大的近似处理方法 ,有关频率对该结构 C —V 及相应存储特性影响的分析也很少. 针对这些 情况 ,本文从物理基本方程出发 ,得出阈值电压的一种新解析模型 ,并对 C —V 特性进行分析.