太赫兹近场成像.PDF

太赫兹近场成像 远场成像的横向分辨率受辐射波长 λ 的限制，近似为 0.61λ/(n sinθ) ，其中，折 射率n 约等于空气中的折射率值，θ为焦点的半角。太赫兹波长的分布范围为3mm －0.03mm （0.1 太赫兹-10 太赫兹），由此可得到其波峰处的平均分辨率为0.5mm 。 如果对太赫兹脉冲经过数值傅立叶分析过后，只选取其中的高频分量，那么其分辨 率可提高到 0.1mm 。为了研究宽带太赫兹脉冲在亚波长领域中与物质的相互作用 情况，这时就需要使用近场成像技术。 近场成像技术可以突破波长对分辨率的限制，是提高太赫兹成像空间分辨率的 有效方法。它是将直径为α 的孔径放在被研究样品的光学近场处，样品和孔径之间 的间距Lα，所以互作用光斑是由α决定的，而不是辐射波长。将探测器放置在样 品的近场或是利用大面积 EO 探测器的采集模式（collection mode ）都能很轻松的 得到样品的近场图像。采集模式的太赫兹近场 EO 成像系统如图 5-15 所示，太赫 兹光束自样品的左侧入射，而探测光束则从其右侧入射，并被样品的左侧表面反射 回来。然而，经实验和理论证明，反射式系统所测得的太赫兹波形与透射式所测得 的相同，这是因为逆向传输的光束的影响可以忽略不计，所以也可以将样品放置在 EO 晶体的右侧，实现近场测量。并且，利用此项技术还可以测量太赫兹光束的 3D 剖面图 （沿光路方向平移探测晶体），以及太赫兹波前通过焦点处的图像。 图5-15 采集模式的太赫兹近场EO 成像系统 如图5-15 所示，采集模式的太赫兹近场EO 成像系统是将EO 探测器放置在样 品的太赫兹近场，然后利用靠近晶体的样品表面所反射回的探测脉冲来测量太赫 兹电场。由于这种成像技术的内部反射信号很小，所以它所得到的信号相对于其 他太赫兹成像技术的较小。但是此项技术的分辨率足以能够对三个字母“太赫 兹”进行成像，并能够清楚的分辨出它们三个来。这三个字母的宽度都是 0.5mm，而且获取它们的太赫兹图像只用了不到 1 秒的时间。相对于 4f 成像系统 来说，此种近场成像技术的分辨率提高了5 倍，而且所成的太赫兹图像可以在计算 机屏幕上实时呈现出来，所以它也可以对运动物体和活体进行成像。 图5-16 太赫兹近场动态孔径成像系统 将光学激光脉冲照射在半导体材料上可产生光生载流子，而这些载流子可以在 半导体中发生瞬镜（transient mirror ）现象，利用这个现象可以用来研究太赫兹动 力学。假如将光学脉冲高度聚焦后，就可以产生出一个动态逆向孔径 （dynamic inverse aperture ），由此就可以将太赫兹光束截面控制在亚微米量级。如图 5-16 所 示，它是将近场成像技术和“动态孔径”原理结合在一起的太赫兹近场动态孔径成 像系统。图中的半导体是放置在太赫兹光的焦点处，样品则是位于孔径的近场处 （Lα），则其分辨率可达几十微米，如图 5-16 （b ）所示。但是在实际中，由于焦 点处的光强太强会导致双光子吸收现象的发生，从而会影响到成像系统的分辨率。 b 图为动态孔径近场太赫兹图像，c 图为标准的远场太赫兹图像。比较这两幅图 像，可以清楚的看到基于动态孔径的太赫兹近场成像技术可以很明显的提高空间分 辨率。图中的样品为沉积在GaAs 晶片上的金属电路。