磁控溅射制备SnO2F薄膜及其透明导电性能研究.pdfVIP

万方数据 摘要 透明导电氧化物（TCO ）薄膜是一种同时拥有优异的导电性能与可见光区的 高透光性的功能薄膜材料。由于这种特殊性质，透明导电薄膜被广泛的应用于发 光二极管、平板显示器、薄膜太阳能电池、电子玻璃等领域。在不同的透明导电 薄膜材料中，SnO :F （FTO ）薄膜因为具有无毒、稳定性高、原料价格便宜等优 2 点得到了广泛的关注。目前制备 FTO 薄膜的方法主要以喷雾热解法、化学气相沉 积法、溶胶-凝胶法等化学方法为主，而关于利用磁控溅射法制备 FTO 薄膜的研 究则少有报道。 本文采用射频磁控溅射法分别在纯氩及混合气氛下在普通钙钠玻璃上制备了 FTO 薄膜，并用霍尔测试仪、紫外-可见分光光度计等测试仪器进行表征。分别研 究了纯氩气氛下溅射功率、气压和基体温度对 FTO 薄膜光电性能的影响；氩氧气 氛下氧气流量及氩氢气氛下氢气流量、溅射功率、溅射气压和溅射时间分别对FTO 薄膜光电性能的影响。本文还对 FTO 薄膜进行了退火处理，研究了退火气氛、温 度及时间对 FTO 薄膜光电性能的影响。 研究表明，在纯氩与氢氩气氛下，基体温度、溅射功率和溅射气压对 FTO 薄 膜性能影响都与薄膜结晶性和薄膜中施主缺陷的浓度有关。在溅射过程中通入适 量 H2 能提高 FTO 薄膜内部氧空位的含量，从而有效降低 FTO 薄膜电阻率。但是 通入过量 H2 会使 FTO 薄膜的结晶性变差并在薄膜中生成 SnO 相，从而恶化 FTO 薄膜光电性能。研究发现，在 H2 流量为 3Sccm 时，基体温度为 150℃，溅射功率 -2 为 90W 时，FTO 薄膜电阻率降至最低 1.09×10 Ω·cm，载流子浓度和霍尔迁移分 别为 8.63×1019 -3 2 cm 和 6.64cm /V·s ，平均透光率达到 91% 。FTO 薄膜的退火实验 发现，在大气、氢氩混合气氛、真空气氛下退火的 FTO 薄膜电阻率随退火温度的 增加而降低，其变化趋势也存在差异，这与 FTO 薄膜晶界内吸附氧含量有关。 关键词：磁控溅射；FTO 薄膜；混合气氛；透明导电性能；退火处理 I 万方数据 Abstract Transparent conductive oxide (TCO) thin films is a kind of distinctively functional thin film material with excellent conductivity and high transparency in the visible region simultaneously. TCO films has been widely used in various application fields such as lighting emitting diodes, flat panel displays, thin film solar cells, electronic glasses, etc. SnO2:F (FTO) thin film have attracted broad attention due to its outstanding superiorities of non-toxin to human body, high stability, cheaper raw materials price, compared with other TCO materials. At present the chemical synthesis