碳化矽功率半导体元件-台湾电子材料与元件协会.PDF

碳化矽功率半導體元件導 報 輯 專 顏誠廷 瀚薪科技 一、簡介 量，但是若能減少電力在轉換過程中的 損耗，則不需新增發電廠就能取得額外 為了因應全球暖化所造成的氣候 的電力，這些能源可說是真正零碳排放 變遷，溫室氣體的減量已經成為國際政 的綠色能源。 治與經濟上最重要的議題之一。溫室氣 也正因為如此，除了再生能源科 體的排放量涉及全球能源地景的變動， 技的發展之外，如何以更聰明的方式來 更透過各國政府的減稅、直接補貼或新 輸配電以調整發電量 ( 智慧電網) 以及 能源效率標準的制定而影響了能源科技 如何降低電力在層層抵達終端使用者的 的發展。 手中前的耗損 ( 透過各式各樣的轉換器 整體能源的耗用，以美國為例， 與逆變器) ，也越來越受重視。而在這 大約有40% 被轉換成電力，年用電量 其中扮演了關鍵角色的就是功率半導體 約3,500GW 。台灣目前的年耗電量則 元件。最早的功率半導體元件是Si 閘 約為34GW 。電力在生產時，由熱能、 流體(thyristor) ，已有50 年的歷史，隨 機械能轉換為電能的過程中，會依熱力 著Si Power MOSFET 與Si IGBT 的發 學定律而產生一定的損耗，在輸電、配 展，功率半導體元件被廣泛地使用在各 電到終端負載的過程中，還會因經過輸 式各樣的電子產品、家電與電力系統 配送線路以及多次的交流/ 交流(AC- 中，是我們能夠方便、安全的取用電力 AC) 、交流/ 直流(AC-DC) 、直流/ 交 最主要的原因。 流(DC-AC) 以及直流/ 直流(DC-DC) 轉換而產生導通與切換損耗，使得最終 二、碳化矽 (SiC, Silicon Carbide) 的能量耗損依應用有可能高達六到八 成。 SiC 功率半導體元件的發展歷史可 再生能源如太陽能發電、風力發 回溯到大約20 年前。人們對SiC 功率 電的發展，以及潔淨碳能源( 如產生的 半導體元件的興趣主要來自於SiC 因其 全球暖化潛勢較小的天然氣發電) 的使 寬能隙，有潛力能實現阻斷電壓 (BV, 用等，固然可以減少溫室氣體的排放 blocking voltage) 在600V 以上到數千V 《電子資訊》功率電子專刊�第20 卷第 1 期2014 年6 月 41 之間的低損耗、高速單極性開關元件 主因。Si 在90 年代初期就已經開始使 導 報 輯 專 及二極體，且能夠應用在高溫或輻射 用8 吋晶圓，而同時期的SiC 晶圓尺 等極端環境下。SiC 是一種極為強韌的 寸僅有1 吋，且每平方公分的微管缺陷 材料，其莫氏硬度(Mohs hardness) 高 (micropipe ，因晶格堆疊錯位所產生的 達9.2 ，僅次於鑽石( 硬度 1