铜尖表面石墨烯原位生长工艺及其场发射特性.pdfVIP

第 49卷 第 8期 西 安 交 通 大 学 学 报 Vo1．49 No．8 2015年 8月 JOURNALOFXI’AN JIAOTONG UNIVERSITY Aug．2015 DOI：10．7652／Xjtuxb2O1508002 铜尖表面石墨烯原位生长工艺及其场发射特性 田康 ，刘卫华 ，李昕，魏仙琪 ，王小力 (西安交通大学电子与信息工程学院，710071，西安) 摘要：针对非高熔点金属针尖在场发射中表面原子 易升华的问题 ，通过在亚微米量级的铜尖表面 原位生长石墨烯来抑制铜原子升华 ，以提高其场发射稳定性能。首先利用三氯化铁溶液将铜丝进 行腐蚀 ，得到亚微米量级别的高曲率铜尖，然后通过化学气相沉积法在高曲率的铜尖表面原位生长 获得 了石墨烯 ，得到 了一种新的冷阴极结构——铜尖 ／石墨烯结构。对覆盖石墨烯前后的铜尖进行 场发射测试 ，结果发现 ，石墨烯的存在使铜 尖的开启场强从 4V／lum 降低到 2．5V／gm，并且提高了 发射电流的稳定性 。该研究结果对于在亚微米尺度铜表面生长石墨烯以及利用石墨烯改善金属针 尖的场发射特性均有参考价值 ，为非高熔点金属制作场发射尖端提供 了一种可能性 。 关键词 ：石墨烯；化学气相淀积；场发射 中图分类号 ：TN304．9 文献标志码：A 文章编号 ：0253-987X(2015)08—0006—05 In。SituGrowthofGrapheneonaCopperTipandItsFieldEm issionProperty TIAN Kang，LIU W eihua，LIXin，W EIXianqi，W ANG Xiaoli (SchoolofElectronicsandInformationEngineering，Xi’anJiaotongUniversity，710071，Xi’an) Abstract：Metaltipswith low meltingpointsufferfrom sublimation during field emission．A layerofgraphenein—situonasubmicroncoppertipissynthesizedtosuppressthesublimationand toimprovethefieldemissionstability．A copperwireisetchedinferrictrichloridesolutiontoget acoppertip with submicron radius．Thenagraphene layerissuccessfully synthesized on the coppertipbychemicalvapordeposition．Thecoppertipistestedpreandaftergraphenegrowth． Thefieldemissiontestsshow thatafterthegraphenegrowth，theturn—onfieldofthecoppertip reducesfrom 4V／~／m to2．5V／t~m whilethecurrentstabilityisimproved．Theresultsreported hereisvaluableforboththegrowthofgrapheneonacoppersurfaceofsub-micronareaandthe improvementoffieldemissionofgraphenedecoratedmetaltips． Keywords：graphene；nanotip；chemicalvapourdeposition；fieldemission 石墨烯具有优异 的电子学特性 ，如超高的载流 石墨烯边沿尖锐的发射棱刃。人们也曾研究过理想 子迁移率 、极高 的热导率和稳定 的物理化学特性 的石墨烯表面 的电子发射特性_6]，因为理想石墨烯 等_】]，自从 2004年被英 国科学家 A．K．