高介电常数HfAlO氧化物薄膜基电荷俘获型存储器件性能研究.pdfVIP

第 43卷 第 3期 河南大学学报(自然科学版) Vo1．43 No．3 2O13年 5月 JournalofHenanUniversity (NaturalScience) M ay 2013 高介 电常数 HfA1O氧化物薄膜基电荷俘获型 存储器件性能研究 汤振杰 ，张 婷 ，殷 江 (1．安阳师范学院 物理与电气工程学院，河南 安阳455000；2．南京大学 材料科学与工程系， 固体微结构物理 国家重点实验室，江苏 南京 210093；3．河南大学 物理与电子学院，河南 开封 475O04) 摘 要：利用原子层沉积方法制备了高介 电常数材料(HfO ) (A1O。)。．薄膜基 电荷俘获型存储器件，并对器件 的电荷存储性能做 了系统研究．利用高分辨透射 电子显微 (HRTEM)技术表征 了(HfOz) (A1zOs)。z薄膜 的形貌 、 尺寸及器件结构．采用 4200半导体分析仪测试了存储器件的电学性能．研究发现，存储器件在栅极电压为士8V时 的存储窗口达到 3．5V；25℃，85℃和 15O℃测试温度下，通过外推法得到，经过 1O年的数据保持时间，存储器件 的存储窗口减小量分别为 17 ，32 和 48 ；(HfO )。．。(A1zOs)。．z薄膜基 电荷俘获型存储器件经过 1O次写入 ／ 擦除操作后的电荷损失量仅为4．5％．实验结果表明，利用高介 电常数材料 (HfOz) (A1zO)。-z薄膜作为存储层能 够提高器件的电荷俘获性能，具有 良好 的应用前景． 关键词 ：高介 电常数 ；HfAl0氧化物 ；电荷存储 ；原子层沉积 中图分类号：0469；TB321 文献标志码 ：A 文章编号：1003—4978(2013)03—0249—04 Studyon theChargeStorageCharacteristicsof High-k (HfO2)o．8(AI203)o．2BasedChargeTrappingMemoryDevice TANGZhenjie弘 ，ZHANGTing 。，YIN Jiang (1．CollegeofPhysicsandElectronicEngineering，AnyangNormalUniversity，Anyang455000，China 2．Department ofmaterialsscienceofengineering，NationalLaboratoryofSolidStateMicrostructures，NanjingUniversity，Nanjing 210093，China 3．School0fPhysicsandElectronics，HenanUniversity，Kaifeng475004，C^ina) Abstract：Charge storage characteristicsofHigh-k (HfO2)o8(Al2O3)02 film based charge trapping memory devices，whichwerefabricatedby atomiclayerdeposition，weresystematically investigated．Employing thehigh- resolutiontransmission electron microscopy (HRTEM ) ，thepaper analyzesthemorphology ofthe (Hf02)08 (Al2O3)o2film ，sizeandthedevicestructure；theelectricalcharacteristicsofthememorydevicewasmeasuredby usingthe4200semiconductorparametersystem ．Itisobservedthatthememorywindow is3．5V at