黄绿荧光碳化硅包覆石墨材料的制备与表征.pdfVIP

第29卷 第5期 新 型 炭 材 料 VO1．29 NO．5 2014年 lO月 NEW CARB0N MATERIAI，S 0ct．2014 文章编号： 1007-8827(2014)05-0404-05 黄绿荧光碳化硅包覆石墨材料的制备与表征 王云伟 ， 靳国强 ， 王英勇 ， 郭向云 (1．中国科学院山西煤炭化学研究所 煤转化国家重点实验室 山西太原 030001； 2．中国科学院大学 北京 100049) 摘 要： 以膨胀石墨与硅溶胶为原料制备出一种碳化硅包覆石墨材料。利用电子显微镜、x射线衍射技术、热重分析和荧光 光谱技术对样品的形貌、结构、组成以及光致发光性能进行表征。结果表明，与碳化硅材料相比，碳化硅包覆石墨材料的发光 频带发生红移，即由原来的蓝光红移至黄绿光 ，拓展了碳化硅的光致发光光谱。其原因是由于位于材料内部的石墨与外部的 碳化硅之间形成的内电场阻碍了电子回归基态，从而使得光电子恢复到基态所释放的能量低于纯碳化硅释放的能量。 关键词： 碳化硅；石墨；红移；黄绿色荧光 中图分类号： TB332 文献标识码： A 收稿 日期：2014-05—15； 修回日期：2014—10-03 作者简介：王云伟，硕士．E—mail：gouhul71@126．com 通讯作者：靳国强，高级工程师．E—mail：gqjin@sxicc．ac．ca Preparation andcharacterization ofyellow-green fluorescenceemittingSiC-encapsulatedgraphite WANG Yun．wei，， JIN Guo．qiang ， WANG Ying．yong ， GUO Xiang—yun (1．State研 LaboratoryofCoalConvenion，InstituteofCoalChemistry，ChineseAcademyofSciences， an 030001，China； 2．UniversityoftheChineseAcademyofSceinces，Bejiing 100039，China) Abstract： SiC—encapsulatedgraphitewaspreparedbycrabonizationofamixtureofexpandedgraphitena dsilicasolat1300oC for6h，heattreatmentinairat700 oC ofr4htoremoveunreacted surfacecarbonnadHC1一HFetchingtoremovesilica．XRD ， TGA ，TEM nadSEM wereusedtocharacterizethesamples．Resultsindicatedthathtefluorescenceemi ssionofhteSiC—encapsulated graphiteshiftsfrombluetoyellow—greenlightcomparedtopureSiC．Thismightbecausedbyabuilt—inpotentialnerahtejunction betweengraphiteandSiC，whichmakeshteenergyofhtephotogeneratedelecrtonreleasedwhilereturningtogroundstatelowerhtna htatofpureSiC． Keywords： SiC；Graphite；Redshift；Yellow—greenphotoluminescence Authorintroduction：W ANG Yun—wei，M aster．E—mail：gouhu171@ 126．com Correspondingauthor：JIN