可靠性试验简介试卷.pptVIP

* * * * * * * AOS Confidential 可靠性试验介绍 金杰 5/22/08 AOS Confidential * 纲领 可靠性定义 可靠性 Vs 质量 浴盆曲线 可靠性试验 可靠性试验目的 可靠性试验分类 AOS 可靠性试验类型 HTS （High Temperature Storage 高温储存试验） HTGB (High Temperature Gtae Bias 高温Gate偏压试验） HTRB (High Temperature Reverse Bias 高温反相偏压试验） 5/22/08 AOS Confidential * 接上页 ESD Test （Electrostatic Discharge 静电放电测试） HBM ESD （Human Body Model 人体模式） MM ESD （Machine Model 设备模式） CDM ESD （Charged Device Model 器件放电模式） Precon （Precondition 预处理） Delamination Type （分层类型） PCT （Pressure Cooking Test 压力蒸煮试验） TC （Temperature Cycling 温度循环试验） HAST (Highly Accelerated Stress Test 高压加速寿命试验） AOS可靠性试验设备 5/22/08 AOS Confidential * 可靠性定义 Reliability: The ability of a device to conform to its electrical and visual/mechanical specifications over a specified period of time under specified conditions at a specified confidence level. 可靠性：产品在规定的条件下，规定的时间内完成规定功能的能力 5/22/08 AOS Confidential * 可靠性 Vs 质量 可靠性: 衡量器件寿命期望值，也就是说可以通过可靠性结果计算器件需要多久持续满足规范要求。 质量：衡量器件在当前是否满足规定的标准要求。 5/22/08 AOS Confidential * 失效率 (1/time) Useful Life 可用时期 Wear out 老化 Infant Mortality 初期失效率 时间 ) ( ) ( 短时间可靠性试验 (Burn-In) 长时间可靠性试验 (Reliability stress test) 浴盆曲线 Random failure 随机失效 5/22/08 AOS Confidential * 接上页 初期失效区域 大多数半导体元器件共性 主要有设计，制造原因引起 能够被筛选 大致需要3-15个月，通常为1年 可用时期区域 随机失效, EOS（过电） 一般需要10年 老化区域 材料疲劳破坏，老化 5/22/08 AOS Confidential * 可靠性试验 可靠性试验: A series of laboratory tests carried out under known stress conditions to evaluate the life span of a device or system. （在已知试验条件情况下通过实验室试验测试来评估器件或系统的寿命） Reliability tests aim to simulate and accelerate the stress that the semiconductor device may encounter during all phases of its life, including mounting, aging, field installation and operation. 可靠性试验的目标是通过模拟和加速半导体元器件在整个寿命周期中遭遇的各种情况（包括贴片，寿命，应用和运行） 5/22/08 AOS Confidential * 可靠性试验目的 可靠性试验目的： 使试制阶段的产品达到预定的可靠性指标。 对产品的制作过程起监视作用。 根据试验制定出合理的工艺筛选条件。 通过试验可以对产品进行可靠性鉴定或验收。 通过试验可以研究器件的失效机理。 5/22/08 AOS Confidential * 可靠性试验分类 对于不同的产品，为了达到不同的目的，可以选择不同的可靠性试验方法。可靠性试验有多种分类方法: 以环境条件来划分,可分为包括各种应力条件下的模拟试验和现场试验 以试验