第六章光电成像技术.PDF

第六章第六章 光电成像技术光电成像技术 光电子学导论 第六章 光电成像技术 光电子学导论 光电子学导论 光电子学导论 光电子学导论 光电子学导论 概述： 1、光电成像系统按照波长分类：可见、紫外 和红外和红外。。 2、光电成像过程需要考虑的几个问题：  能量转换能量转换—物体物体、、光学系统光学系统、、接收器接收器 （（光光、、辐射度辐射度 ））  成像特性—分辨能力  噪声特性噪声特性—接收到信号的可靠性程度接收到信号的可靠性程度，，探测器能力探测器能力  传递速率—探测器的响应问题 光电子学导论 第六章 光电成像技术 真空摄像器件，是利用靶面上的光敏材料 把来自目标的光学图像转变成靶面上的电把来自目标的光学图像转变成靶面上的电 学图像，再通过电子束的扫描将电学图像 转化成仅随时间变化的一维电信号转化成仅随时间变化的一维电信号 （（视频视频 信号），然后可将信号存储或发送出去。 固体成象器件固体成象器件不需要靶来进行光学图像的不需要靶来进行光学图像的 转换和电子束扫描输出图像，器件本身就 能完成光学图像转换能完成光学图像转换、、信息存储和按顺序信息存储和按顺序 输出（自扫描）视频信号。 光电子学导论 第六章 光电成像技术 固体成象器件主要有两大类：电荷耦合器电荷耦合器 件件 （（ChargeCharge CoupledCoupled DeviceDevice——CCDCCDCCDCCD ））和和 自扫描光电二极管列阵自扫描光电二极管列阵 （Self Scanned PhotodiodPhotodiod ArrayArray—SSPDSSPDSSPDSSPD，，又名又名MOSMOSMOSMOS图像图像 传感器）。 本章介绍常见固体成象器件的结构、原理 和应用和应用。。 光电子学导论 第六章 光电成像技术  固体成象器件与真空成象器件相比，有显著的优点：  （（11 ））固体化固体化，，体积小体积小，，重量轻重量轻，，功耗低功耗低，，可靠性高可靠性高，， 寿命长；  （（22 ））不保留残像不保留残像，，无像元烧伤无像元烧伤、、扭曲扭曲，，不受电磁干不受电磁干 扰；  （3）对红外也敏感，用于夜视系统等；  （（44 ））位置精度高位置精度高，，可用于不接触精密测量可用于不接触精密测量；；  （5）视频信号与微机接口容易，便于图像的后续处理 光电子学导论 §6.1 电荷耦合器件的工作原理  电荷耦合器件（CCD）在20世纪70年代由美 国贝尔实验室首先研制成功国贝尔实验室首先研制成功，，器件以电荷作器件以电荷作 为信号，而不同于其它大多数器件以电流或 电压作为信号电压作为信号。。CCDCCD有两种基本类型有两种基本类型：： 表面沟道电荷耦合器件（SCCD），电荷包 存储在半导体与绝缘体界面并沿界面传输存储在半导体与绝缘体界面并沿界面传输；； 体内沟道电荷耦合器件（BCCD），电荷包 存储在半导体体内并沿一定方向传输。我 们主要讨论SCCD的结构原理 光电子学导论 6.1.1 CCD的基本结构特点 如图6-1所示，为CCD的结构示意图。在p或 nn型硅单晶衬底上生长一层厚型硅单晶衬底上生长一层厚1.21.2～～1.5μm1.5μm 的SiO 层，再按一定次序沉积n个金属电极 2 作为栅极作为栅极，，栅极间隙栅极间隙2.5μm2.5μm，，电极中心距电极中心距 为15～20μm，于是每个电极与其下方的 SiO 和半导体构成了一个金属-氧化物-半 2 导体结构导体结构，，即即MOSMOS结构结构，