用Fowler-Nordheim公式测定ITO功函数的研究.pdfVIP

张电子·嫩光 第18卷第8期2007年8月 Journal V01．18No．8Aug．2007 ofOptoelectronics·Laser 程洁一，朱文清，委福祥，蒋雪茵，张志林 (卜海大学电子信息材料学院，上海嘉定201800) 流子有效质量和器件厚度因素的影响，提高了测量的精度，简单准确地测定了IT0的功函数。实验测得值分别 eV、4．88 为4．85 eV，与ITO的文献报道值接近。该方法操作简便，可以用来测定半导体和金属电极特别是合 金电极的功函数。 美键词：Fowler-Nordhalm(F-N)公式；ITO功函数；双边注入 中图分类号：0484．5文献标识码：A 文章编号：1005-0086(2007)08—0907—04 ofWorkFunctionMeasurementof1TOFowler-NordheimFormula Study by CHENGJie一，ZHU Zhi-lin Wen-Qng，WEIFu-】dang，JIANGXue-yin，ZHANG (Schoolof Materials，ShanghaiUniversity．Jiading201800．China) Abstract,Devices W@I8 workfunc ITO／TPFXNPB)／Cumade．Throughtransforming tionofITOwasmeasured influences0fcartierma∞esanddevicethicknessWe theresults4．78eVand byavoMi．《the got 4．88eVwidchwereclosetowhat method tobetterresultsand arefer一 referenc船reported．Thisbronght simply pro,Aded of 日1口for work-functionsemiconductorandmetal electrodes measuring especiallyalloy vmrds：FowleNordheim(Fwerk Key N)formula；ITOfunction；both-alde injection 有机界面的隧道注入电流控制。本文制备了双边注人单载流 1引言 ITO(indium-tin-oxide)是氧化铟锡的化合物，其薄膜具有 很好的透明性、电传输性和低电阻率等性能。主要应用在显示 较高且比较稳定的Cu作电极，形成了双边空穴注人的器件。 运用F-N注人公式的变换，消除了器件厚度和载流子有效质 和太阳能电池等方面。制备ITo膜最常用的是直流磁控溅射 量的影响，更精确地测定了ITO的功函数，与文献报道值接近， 法L1]，其它还有CVD沉积法、溶胶一凝胶(sol-gel)法和偏压磁控