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2017-07-08 发布于北京
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采用增强型AB跟随器的快速响应LDO.pdf

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采用增强型AB跟随器的快速响应LDO.pdf

第42卷第1期微电子学 V01．42．No．1 2012年2月 Microelectronics Feb．2012 采用增强型AB跟随器的快速响应LDO 蹇俊杰，冯全源 (西南交通大学微电子研究所，成都610031) 摘要：设计了一种采用增强型AB跟随器作为缓冲器的快速响应LDO。利用跟随器的动态电流提高能力，显著地改善了误差放大器对功率MOS管寄生大电容的驱动；同时，由负反馈引起的阻抗降低效应将功率管的寄生电容极点推到了更高的频率，提高了环路的相位裕度。采用TSMC mA以及从50mA跳 0．35一扯mCMOS工艺进行仿真，当负载电流在0．1 mA跳变到50 ps内从1 mV和46mV，且稳定时变到1mA时，相对于同等条件下的源跟随器LDO，输出峰值分别减少4 间只需要0．2 gs和0．5p．s。关键词：LDO；增强型AB跟随器；动态电流；瞬态响应中图分类号：TN432 文献标识码：A withFast Low Transient Drop—OutRegulator Response BasedonClassAB Follower Super JIAN Junjie，FENGQuanyuan (Institute 610031，尸．R．China) ofMicroelectronics，SouthzoestJiaotongUniversity，Chengdu fast—transient on AB Abstract：Alow was basedClass drop-outregulator(LD())withresponsedesigned super current achievedwiththefollower transient of follower．Dynamic improved boostingcapability significantly response theLIX)whenloadwas ofthefollowerloweredthe resistanceandmadethe changingrapidly．Feedback output pole atthe ofthe transistorlnoveto inTSMC CM()S showed gate power higherfrequency．Simulation0．35一弘m process