多功能表开关电源原理图 原理图如下 电源设计要求 输入电压：42VAC.DOC

多功能表开关电源原理图 原理图如下 电源设计要求 输入电压：42VAC～456VAC 50HZ 输出电压：12VDC×2A 5VDC×2A(MAIN) 5VDC×1A(SUB) 输出纹波 =50Mv 脉冲电压隔离6000V 变压器设计流程 VDCmin=VACmin*1.2=49.2V VDCmax=VACmax*1.4=638.4V 输出功率（输出二极管为UF5404和UF5401，它们的导通压降分别为1.3V和1V。） （12＋1.3）×2A=26.6W （5＋1）×2A=12W （5＋1）×1A=6W ----------------------------------- 26.6+12+6=44.6W 输入功率Po/n=44.6/0.8=55.75W 考虑输入整流损耗55.75W×1.2=67W 输入平均电流 Iav=67W/VDCmin=67/49.2=1.362A 假设Dmax=0.45 初级峰值电流Ip=2×Iav/Dmax=2×1.362/0.45=6.053A 一次方Lp=VDCmin×Dmax/（Ip×fs）=49.2×0.45/（6.053×50000）=73.2uH 反馈自5V×1A，则 使用变压器core为EI25，具体参数为 Le=47mm Ae=41mm^2 AL=2140Nh/N^2 设Te=1N/V Ns=Te×(Vo+Vd)=1×(5+1)=6N Np=Ns×VDCmin/(Vo+Vd)×Dmax/(1-Dmax)=40N Alg=Lp/N^2=0.4575×10^(-7) Bmax=Np×Ip×Alg/Ae=0.27tesla 符合磁心利用要求 Ur=Al×Le/(0.4Pi×Ae)=1.952×10^(-3) 气隙长度Lg=(0.4Pi×Np^2×Ae/Lp-Le/Ur)×10^(-3)mm=1.102mm Irms=Ip×(Dmax/3)^1/2=2.344A 电流密度取4.5 Ap=2.344/4.5=0.521mm^2 As(5V×1A)=1/4.5=0.222mm^2 As(5V×2A)=2/4.5=0.444mm^2 As(12V×2A)=2/4.5=0.444mm^2 最后得到： 使用EI25做core 用三重绝缘线 初级匝数40Turns 20swg 次级main为6Ts 20awg 次级sub为6Ts 23swg 次级12v为13Ts 20awg 偏置匝数为15Ts 20swg 三明治绕法 整流二极管平均电流只能承受1A，但是整个电源要求平均为1.3A，峰值达到3A左右，按照要求需要换整流二极管，必将带来整流损耗加大。 EMI滤波 假设在50KHZ有24dB的衰减，则 共模滤波器截止频率fc=fs×10^(Att/40)=50KHZ×10^(-24/40)=12.6KHZ T1电感值L=RL×0.707/(Pi×fc)=50×0.707/(Pi×12.6KHZ)=893uH C1和C2为X电容，C=1/[(2Pi×fc)^2×L]=0.178uF 取0.2uF 使用2个0.1uF电容串连得到C1、C2、C22、C23。 *为了减少元器件EMI滤波器置于整流之后，可能对滤波效果有影响。 Bulk输入滤波电容 】 Cin=(2~3)×Pin=3×67Uf=201Uf,取200uF，用100Uf/400V高压电容C3与C4串联得到。 RCD电路 由于变压器的漏感，在MOS管关断的时候，会出现较大反激能量，如果不加RCD吸收，会造成MOS管漏极电压负担，并且产生EMI噪声。一般RCD的做法是将漏感反激能量消耗在snubber中，使效率下降，在上图中使关断瞬间电流通过D10,R16,D9流向C5，此时类似普通RCD，但当MOS导通时，电容中储存能量不是全部由电阻消耗，而是利用D10的慢管效应，通过R15,R16,D10,R17对C6充电，能量又回到了变压器初级。 UC3842供电电路 对于启动电路由R5~R12和C7构成。 Rst=Vin(min)/Istart(min)=49.2V/0.3mA=164k,取160k Pd=Vin(max)^2/Rst=638.4^2/160K=2.55W 故用8个20k 1/2w电阻串联。 C7在这里兼RC滤波和充电用。 二次方输出电路 TL431反馈 TL431采样电压取自C18之前，因为据说C18会造成纹波，影响反馈电路稳定性。 TL431参考电平为2.5V R35=Vref/Isense=2.5K ,1％ R34=(5V-2.5V)/1Ma=2.5K ,1％ R37=[5-(VU2+VLED)]/8mA＝137ohms，取120 对R38和C19，1/(R38*C19)=50KHZ R36=(5V-2.5V)/1mA