模电复习各章要点.docVIP

1半导体二极管 ， 其中:是二极管的反向饱和电流，与温度有关； 是温度的电压当量，室温下为0.026mV。 二极管正偏时，，反偏时， 5．二极管反向偏置电压达到击穿电压时，其PN结发生电击穿（雪崩击穿和齐纳击穿），此时电流变化很大而电压变化不大——由此做成稳压管。 2 晶体管 1．晶体管（BJT）是双极型电流控制器件，晶体管进行电流放大的前提是发射结正偏置、集电结反偏置。 2．晶体管的外部电流关系是、、 3．晶体管有三个工作区域：放大区、饱和区、截止区，晶体管通过电流控制实现信号放大的条件是工作在放大区。 4．晶体管处于正常放大状态时，发射结正偏置，集电结反偏置，为满足此条件，NPN型晶体管的各极电位关系应该是；PNP型晶体管的各极电位关系应该是。 5．当且时，晶体管工作于放大区；当且时，晶体管工作于截止区；当且时，晶体管工作于饱和区。 6．场效应管（FET）是单极型电压控制器件，栅源电阻大。场效应管有三个工作区域：可变电阻区、恒流区、击穿区，场效应管通过电压控制实现信号放大的条件是工作在恒流区。 7．放大器的直流栅源电压的偏置应保证场效应管能正常工作，以N沟道为例，结型场效应管的后有，越负，越小；增强型绝缘栅场效应管的（为正）后有，越正，越大；耗尽型绝缘栅场效应管的VGS可正可负，越大，越大， （为负）时。 各种场效应管的转移特性所在象限如下图所示 3 模拟电子系统的基本问题 1.电子系统中，任意一个电信号源可以用戴维宁等效或诺顿等效的形式来表达。 2. 模拟电子系统的基本分析方法是图解分析法和简化模型分析法。 3. 简化模型分析法用于模拟电子系统的近似估算，使用条件是非线性器件工作于线性区，且为小信号情况工作状态，将非线性器件进行线性化处理后，利用叠加定理将模拟电子系统的交、直流通道分开估算。 直流通道的画法：所有交流信号源置零，所有电容开路，电感短路，其余元器件保留，所有电量大写； 交流流通道的画法：所有直流信号源置零，所有电容短路，电感开路，其余元器件保留，所有电量小写。 4．二极管的直流模型为： 理想模型 正偏 反偏 恒压降模型 正偏，硅管为0.7V，锗管为0.2V 折线模型 正偏，对硅管来说 反偏 5．二极管的微变等效模型 是静态工作点Q上小信号工作范围内的二极管动态等效电阻： 4 基本放大电路 1.由晶体管放大电路的直流通道可求出静态工作点；由晶体管放大电路的交流通道可画出电路的微变等效模型。 2．晶体管放大电路的静态工作点设置不合理时，会使电路的输出波形发生失真：静态工作点过高时为饱和失真（NPN管：表现为底部失真），过低时为截止失真（NPN管：表现为顶部失真）。 3．温度会引起晶体管的增加、ICBO增加、输入特性曲线左移，总的结果是使静态工作点上移，容易发生饱和失真。解决的办法是引入直流负反馈（如射极偏置电路）。 4．晶体管的小信号等效模型是： 其中： 5．晶体管放大电路有三种基本形式：共射电路（输入输出反相位）、共集电路（输入输出同相位）、共基电路（输入输出同相位）。 共射电路： 静态工作点： 动态性能指标： ， 射极偏置电路： 静态工作点： 动态性能指标： 无旁路电容Ce时： 有旁路电容Ce时： 共集电路： 静态工作点： 动态性能指标： 共基电路： 静态工作点： 动态性能指标： 6．场效应管的微变等效模型是： 对N沟道JFET和耗尽型MOSFET，有 对N沟道增强型MOSFET，有 7．场效应管放大电路有三种基本形式：共源电路（输入输出反相位）、共漏电路（输入输出同相位）、共栅极路（输入输出同相位）。 共源电路： 静态工作点： 动态性能指标： 无旁路电容Cs时： 共漏电路： 静态工作点： 动态性能指标： 共栅电路： 静态工作点： 动态性能指标： 8．可以采用复合管（达林顿管）提高电路的输入电阻和放大倍数，两只晶体管复合时，电流放大倍数是组成复合管的各晶体管电流放大倍数的乘积。如果是两只同类型的晶体管复合，输入电阻增加；如果是不同类型晶体管复合，输入电阻与T1管相同。 9．多级放大器有