第三代红外焦平面基础技术的研究进展论文.pdfVIP

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2017-07-11 发布于广东
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第三代红外焦平面基础技术的研究进展论文.pdf

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-O O六年全国光电技术学术交流蝴论文集(F) 第三代红外焦平面基础技术的研究进展何力，胡晓宁，丁瑞军，李言谨，杨建荣，张勤耀 (中国科学院上海技术物理研究所半导体材料器件研究中心，上海200083) 摘要：叙述了围绕第三代红外焦平面的需求所进行的HgCdTe分子束外延以及台面结芯片技术的一些研究结果。对GaAs、Si基大面积异质外延、p型掺杂以及台面刻蚀等主要难点问题进行了阐述．研究表明，7．62 cm材料的组分均匀性良好，晶格失配引发的孪晶缺陷可以通过合适的低温成核方法得到有效的抑制．在GaAs HgCdTe的表面形貌、刻蚀速率、反应微观机理、负载效应和刻蚀延迟效应以及刻蚀损伤进行了研究，得到了高选择比的掩模技术，得到了表面光亮，各向异性较好的刻蚀形貌．采用HgcdTe多层材料试制了长波n．on．P 以及P．on．n型掺杂异质结器件以及双色红外短波／中波焦平面探测器，本文报道了一些初步结果。台面结；分子束外延；电感耦合等离子体刻蚀技术关键词：红外焦平面；HgCdTe；中图分类号：rtl215文献标识码：A Recent towardtothe3rdGeninfraredFPAs progress HE Li，HU Xiao—ning，DINGRui-jun，LIYan-jin，YANGJian-rong，ZHANGQin-yao foradvancedmaterialsand InstituteofTechnical (Researchcenter devices，Shanghai Physics，CAS，Shanghai．200083) Abstract：Someresultsonmolecular-beam of andFPAfabricationswithmesa epitaxialgrowthHgCdTe architectureonthe the3rd ofinfraredfocal are the described，and focusingrequirementsby generation planearrays of onGaAsandSi aswellasmesafabricationareaddressed．A growthHgCdTe wafers，p—typedoping good wasobservedover7．62cm wafersThetwinsinducedthe latticemismatch uniformity composition HgCdTe by large couldbe a oflow nucleation．AvalueofFWHM depressedby properproceduretemperature typical to on the diffractionwasfoundbe55075’for GaAsandSi．A on ICP dry technique epilayersgrown study etching wascarried some resultsonsurface