05W射频发射电路的设计.doc

课 程 设 计 任 务 书 课程设计的内容及要求： 一、设计说明 设计一个射频发射电路，已知条件：Vcc=+12V，级用晶体管为3DG130，其PCM=0.7WICM=300mA，VCES≤0.6V，hfe≥30，fT=150M，AP≥6dB。晶体管为3DA1，其PCM=1WICM=750mA，VCES≥1.5V，hfe≥10，fT=70M，AP≥13dB。谐振频率f0=10MH, 输出功率P0≥W，。实现实时测量并显示放大电路的输出电压的幅度。1．根据技术指标，通过分析计算确定电路和元器件参数； 2．画出电路原理图（元器件标准化，电路图规范化）。 四、实验要求 1．根据技术指标制定实验方案；通过multisim软件仿真验证所设计的电路。 2．进行实验数据处理和分析。 五、推荐参考资料 谢沅清，通信电子电路，北京：电子工业出版社。2007年 于洪珍，通信电子线路，北京：清华大学出版社。2006年 谢自美，电子线路设计、实验、测试(第二版)。2004年 目 录1. 概述 1 2. 方案设计 1 3. 电路工作原理及说明 2 3.1 高频丙类功率放大电路 2 3.2 高频宽频功率放大电路 4 4. 电路性能指标的测试 6 4.1高频宽带功率放大电路仿真测试 7 4.2 高频丙类功率放大电路仿真测试 8 5. 结论 9 6. 性价比 9 7．课设体会及合理化建议 9 参考文献 11 附录Ⅰ 元器件清单 12 附录Ⅱ 整体电路原理图 13 摘要：关键词：概述设计一个射频发射电路，已知条件：Vcc=+12V，级用晶体管为3DG130，其PCM=0.7WICM=300mA，VCES≤0.6V，hfe≥30，fT=150M，AP≥6dB。晶体管为3DA1，其PCM=1WICM=750mA，VCES≥1.5V，hfe≥10，fT=70M，AP≥13dB。谐振频率f0=10MH, 输出功率P0≥W，。方案 要求设计这一高频功放电路，首先要有一信号源作为输入端，为了能够到达功放的效果，要在这端信号源接入一放大电路来实现放大，我便利用了宽带变压器作为耦合回路的功率放大设计为宽带功率放大器，又由于本次的设计是射频发射，而且丙类高频谐振放大器在通信电路中用于发送设备，所以选择其为下一级放大电路，再用天线进行发射。 本次设计共分为二部分：高频宽带功率放大电路、高频丙类功率放大电路。 3. 电路工作原理及说明 的范围，将电路设置为丙类放大，将其作为发射机的末级，获得较大的输出功率和较高的效率。 高频丙类功率放大电路图见图2。 图2 高频丙类功率放大电路图 （1）确定放大器的工作状态 在本次设计中，为了获得较高的效率和较大的功率，所以我将功放的工作状态设为临界状态，取。 可以得到此时的集电极的等效电阻: 由集电极输出功率: 得出集电极基波电流振幅: 由关系式 得出集电极电流脉冲的最大值及其直流分量: 由直流电源供给的直流功率： 得出集电极的耗散功率: 集电极效率： 若设本级功率增益 则输入功率 由关系式 得出基极余弦脉冲电流的最大值（设晶体管3DA1的） 基极基波电流的振幅 由基极基波输入功率： 得出输入电压的振幅： (2)计算谐振回路及耦合回路的参数 丙类功放的输入、输出耦合回路均为高频变压器耦合方式，其输入阻抗 = 输出变压器线圈匝数比： 取 若取集电极并联谐振回路的电容 则回路电感： 基极直流偏置电压 射级电阻： 取高频旁路电容： 3.2 高频宽频功率放大电路 高频宽频功率放大电路为本次设计的第一部分。通过静态工作点的设定，构造出高频变压器，在达到功率放大，实现宽带功放的设计。 高频宽带功率放大电路图见图3。 图3 高频宽带功率放大电路图 （1）计算电路参数 由于宽带功率放大位第一级放大，所以宽带功放的输出功率等于下一级放大——丙类功放的输入功率，输出负载等于丙类功放的输入阻抗。 即 设高频变压器的效率。 功放集电极的输出功率为： 取功放的静态电流,则集电极电压的振幅和等效负载电阻为, 设计直流负反馈电阻： 取标称值为290 高频变压器匝数比： 取次级匝数,则初级匝数 在本次设计中，要求本级功放采用3DG130晶体管，设，若取功率增益,则输入功率： 功放的输入阻抗：,若取,则，可以求出本级输入电压的振幅 （2）计算静态工作点 3DG130晶体管的射级电位： 则 若取基极偏置电路的电流 则，，取标称值 在实验中，取的电位器；取高频旁路电容,输入耦合电容。 在本次课设中，用到了去耦滤波电路，采用的是LC低通滤波器。 4. 电路性能指标的测试 4.2 高频丙类功率放大电路仿真测试 将示波器接在丙类功率放大电路的输出端，输出波形如图6；并在负