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基于IGBT模块饱和压降温度特性的结温探测研究.pdf
第４０卷 第２期 电 子 器 件 Ｖｏｌ４０ Ｎｏ２
２０１７年４ 月 ＣＨＩＮＥＳＥ ＪＯＵＲＮＡＬ ＯＦ ＳＥＮＳＯＲＳ ＡＮＤ ＡＣＴＵＡＴＯＲＳ Ａｐｒ. ２０１７
Ｊｕｎｃｔｉｏｎ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ Ｒｅｓｅａｒｃｈ ｏｆ ＩＧＢＴ Ｍｏｄｕｌｅ Ｂａｓｅｄ ｏｎ
Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ ｏｆ Ｓａｔｕｒａｔｉｏｎ Ｖｏｌｔａｇｅ Ｄｒｏｐ∗
∗
ＹＡＯＦａｎｇꎬＷＡＮＧＳｈａｏｊｉｅ ꎬＬＩ Ｚｈｉｇａｎｇ
(Ｓｃｈｏｏｌ ｏｆ Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ ＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇꎬＨｅｂｅｉ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ ｏｆ ＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙꎬＴｉａｎｊｉｎ ３００１３０ꎬＣｈｉｎａ)
Ａｂｓｔｒａｃｔ:Ｔｈｅｊｕｎｃｔｉｏｎ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｄｅｔｅｃｔｉｏｎｏｆ ＩＧＢＴ ｉｓｔｈｅｋｅｙｔｏｔｈｅｔｒａｎｓｉｅｎｔｔｈｅｒｍａｌｉｍｐｅｄａｎｃｅｔｅｓｔｕｎｄｅｒｌａｂｏ￣
ｒａｔｏｒｙ ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ. Ｆｉｒｓｔꎬｔｏ ｐｒｏｖｅ ｔｈｅ ｓａｔｕｒａｔｉｏｎ ｖｏｌｔａｇｅ ｄｒｏｐ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ ｉｓ ｏｎｌｙ ｒｅｌａｔｅｄ ｔｏ ｔｈｅ ｃｈｉｐ
ｕｎｄｅｒ ｔｈｅ ｔｈｅｒｍａｌ ｓｔｅａｄｙ ｓｔａｔｅ ａｎｄ ｔｈｅ ｔｈｅｒｍａｌ ｔｒａｎｓｉｅｎｔ ｓｔａｔｅ ｒｅｓｐｅｃｔｉｖｅｌｙ. Ｔｈｅｎ ｔｏ ｅｓｔａｂｌｉｓｈ ｔｈｅ ｊｕｎｃｔｉｏｎ
ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ ｍｏｄｅｌ ｏｆ ＩＧＢＴ ｏｎｌｙ ｕｓｅｓｔｈｅ ｓａｔｕｒａｔｉｏｎｖｏｌｔａｇｅ ｄｒｏｐ ｖａｌｕｅｓａｎｄｔｈｅ ｃｏｌｌｅｃｔｏｒ ｃｕｒｒｅｎｔ ｖａｌｕｅｓｔｏ
ｄｅｔｅｃｔｊｕｎｃｔｉｏｎ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｖａｌｕｅｓ. Ｃｏｍｐａｒｅｄ ｔｈｅ ｃａｌｃｕｌａｔｅｄｊｕｎｃｔｉｏｎ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｗｉｔｈ ｍｅａｓｕｒｅｄｊｕｎｃｔｉｏｎ ｔｅｍｐｅｒａ￣
ｔｕｒｅ ｕｓｉｎｇ ｏｐｔｉｃａｌ ｆｉｂｅｒꎬｔｗｏ ｋｉｎｄｓ ｏｆ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｃｏｉｎｃｉｄｅ ｖｅｒｙ ｗｅｌｌꎬｉｔ ｉｓ ｐｒｏｖｅｄ ｔｈａｔ ｔｈｅ ｃａｌｃｕｌａｔｅｄ ｍｅｔｈｏｄ ｃａｎ
ａｃｃｕｒａｔｅｌｙ ｄｅｔｅｃｔ ｔｈｅ ｊｕｎｃｔｉｏｎ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ. Ｔｈｅ ｃａｌｃｕｌａｔｅｄ ｍｅｔｈｏｄ ｃａｎ ｂｅ ｕｓｅｄ ｉｎ ｍｅａｓｕｒｉｎｇ ｔｒａｎｓｉｅｎｔ ｔｈｅｒｍａｌ
ｉｍｐｅｄａｎｃｅ ｉｎｔｈｅｈｅａｔｉｎｇｐｒｏｃｅｓｓｏｆ ｃｏｎｓｔａｎｔｃｕｒｒｅｎｔ.Ｃｏｍｐａｒｅｄｗｉｔｈｔｈｅｔｈｅｒｍａｌｐａｒａｍｅｔｅｒｍｅｔｈｏｄｍｅａｓｕｒｉｎｇｉｎｔｈｅ
ｃｏｏｌｉｎｇ ｐｒｏｃｅｓｓ ｔｈｅ ｍｅｔｈｏｄ ｈａｓ ｍｏｒｅ ｓｉｇｎｉｆｉｃａｎｃｅ ｉｎ ｐｒａｃｔｉｃｅ.
Ｋｅｙ ｗｏｒｄｓ:ＩＧＢＴꎻｊｕｎｃｔｉｏｎ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｄｅｔｅｃｔｉｏｎꎻｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃꎻｓａｔｕｒａｔｉｏｎ ｖｏｌｔａｇｅ ｄｒｏｐ
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ＥＥＡＣＣ:２５６０Ｒ ｄｏｉ:１０.３９６９/ｊ.ｉｓｓｎ.１００５ ９４９０.２０１７.０２.００６
基于ＩＧＢＴ模块饱和压降温度特性的结温探测研究∗
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姚 芳ꎬ王少杰 ꎬ李志刚
(河北工业大学电气工程学院ꎬ天津 ３００１３０)
摘 要:实验室条件下ꎬＩＧＢＴ模块的结温探测是瞬态热阻抗测试的关键ꎮ 首先分别在热稳态和热瞬态下证明了饱和压
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