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基于InP+HBT的5GS-s采样保持电路设计.pdf

电子与封装 第17卷,第5期 总第169期 V01.17,No.5 ELECTRONICS&PACKAGD叮G 2017年5月 ⑨⑧⑧⑧ 基于InPHBT的5 GS/s采样保持电路设计 罗 宁,张有涛,李晓鹏,张敏 (南京电子器件研究所,南京211111) GHz的InP 摘要:基于0.7斗m、f=280 HBT工艺设计了一种双开关宽带超高速采样保持电路。芯片 mmxl.8 面积1.5 mm,总功耗小于2.1w。仿真结果表明,电路可以在5GS/s采样速率下正常工作。 当采样速率分别为5GS/s和1GS/s时,在输入信号功率为4dBm的情况下,采样带宽分别为16GHz 和20 dBc GHz;在输入信号功率为4dBm且其频率小于5GHz的情况下,电路的SFDR分别不低于43 和50dBc。 关键词:采样保持电路;超高速;宽带;磷化铟;异质结双极晶体管 中图分类号:TN402文献标识码:A 文章编号:1681-1070(2017)05—0020-04 of5GS/sTrack--and·-HoldinInPHBT Design Amplifier Technology LUO Youtao,LI Min Ning,ZHANGXiaopeng,ZHANG ElectronicDevice 21111 1,China) (Nanjing Institute,Nanjing in Abstract:The a track-and-holdcircuit bandwidth,ultra-high paperpresentsdouble-switching,widespeed 0.7 InP areaofthecircuitis1.5mmxl.8mlnand transistor(HAT)technology.The I.Lm heterojunctionbipolar the isnomorethan2.1W.Simulationresultsshowthatthe track-and—holdcircuit consumption proposed power the rateis5GS/sand1 GS/swimthe is of under5GS/s.When capableoperating sampling inputsignalpower 4 circuit bandwidthis16GHzand19 is4 dBm,the being sampling GHz

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