3d1（Ti3+、V4+）离子在八面体四角晶场中EPR参量的理论研究.pdfVIP

3d1(Ti3十、V4+)离子在八面体四角晶场 中EPR参量的理论研究 凝聚态物理专、ip 研究生范应娟 指导教师郑文琛 3∥离子如Ti”和v”是重要的过渡会属离子，～些激光晶体、 发光晶体、非线性光学晶体、矿物体甚至生命体中都含有3∥离_i7二， 因此人们对含3∥离子的物质的电子顺磁共振谱(EPR)进行了大 量研究，积累了较多的实验数据。但是，对比同为D一念离子的3∥ 离子，其理论研究工作开展得更不够。这主要表现在，多数研究 都采用粗糙的二阶微扰公式，尤其是只考虑了中心3∥离子旋．轨 耦合系数对EPR参量(窖因子和超精细结构常数A因子)的贡献， 而忽略了配体旋一轨藕合系数通过共价效应对EPR参量的贡献。这 样，使一些实验数据没有得到合理的解释，由于EPR参量对3d1 杂质中的缺陷结构非常敏感，也没有能够从对EPR参量的合理理 论分析中获得3∥杂质的缺陷结构的信息。 154 3∥离子的旋．轨耦合系数秽一般比较小，如秽(Ti”)z 248 cm-‘。掣(v4+)zcm-1。即使是旋一轨耦合系数较小的配体如02。 ClI]叫)，也和它 (靠o≈150cm一)，F一(靠o≈220cm-1)和cr(靠o≈587 相差不远，因此，应采用包含了3∥离子和配体离子的旋．轨耦合 系数贡献的双旋．轨耦合参量模型。本论文就采用一种半经验的分 子轨道方法，对3∥离子在压缩的四角八面体晶场的EPR参量， 推导了建立在双旋．轨耦合参量模型基础上的高阶微扰公式。这些 公式未见前人报道。 应用这些公式，我们研究了3∥离子在下述材料的EPR参量， 并获得了杂质中的缺陷结构的～些信息。 (1)Ti3+离子在立方的ABF3钙钛矿，包括『F钙钛矿KMgF3 和KZnF3，反钙钛矿LiBaF3。由于电荷补偿，一个02。离子会替代 Ti3+离子最近邻的一个F一离子。通过计算这些Ti3+中心的EPR参量。 获得了Ti”中的缺陷结构的有用信息。 (2)解释了CaO晶体网角Ti”中的g因子g／／和gL，并获得了 Ti“中心缺陷结构的信息。 (3)研究了V4+离子在SrTi03四角相中的EPR参量，发现 (V06)”八面体由于Jahn．Teller效应，出嫠质晶体的伸长八面体变 成压缩八面体。 关键词：晶体场理论 电子顺磁共振(EPR)过渡会属离子双 旋．轨耦合模型 Ti3+离子V4+离子 JI TheoreticalstudiesoftheEPR for3d1ionsin parameters octahedral tetragonal crystals Matter Major：Condensed Physics M．S．Student：Fan Wen．Chen Ying-JuanDirector：Zheng 3d1 asTi3+and iOIIS，such V4+，are transition．metaliOIlS． important Somelaser crystals，luminescencecrystals，nonlinear opticalcrystals， mineralsande