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1 053 nm 高速超辐射发光二极管的研制及其光电特性
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Preparation and photoelectric characteristics of
high speed superluminescent diode emitting at
1053 nm
Article in JOU NAL OF INF A ED AND MILLIMETE WAVES · April 2015
DOI: 10.11972/j.issn.1001-9014.2015.02.016
CITATIONS EADS
0 28
7 authors, including:
Fang Liang
Chongqing University
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第34卷第2期 红 外 与 毫 米 波 学 报 Vol. 34,No.2
2015年4月 J. Infrared Millim. Waves April,2015
文章编号:1001-9014(2015)02-0218-06 DOI:10.11972/j.issn.1001-9014.2015.02.016
1053nm 高速超辐射发光二极管的研制及
其光电特性
1,2,3 4 3 3 3 3 1,2 *
段利华 ,摇 张淑芳 ,摇 周摇 勇 ,摇 张摇 靖 ,摇 郭摇 洪 ,摇 罗庆春 ,摇 方摇 亮
(1. 重庆大学 机械传动国家重点实验室,重庆摇 400044;
2. 重庆大学 应用物理系,重庆摇 401331;
3. 重庆光电技术研究所,重庆摇 400060;
4. 重庆电子工程职业学院软件学院,重庆摇 401331)
摘要:制备了一种新型的具有高调制带宽的1053nm超辐射发光二极管(SLD).利用光荧光(PL)测试分析了不同
温度、不同生长速率对SLD芯片外延材料质量的影响,优化了InGaAs/ GaAs量子阱的生长温度与生长速率.分析了
SLD模块的光电特性随温度与注入电流的变化关系. 研究结果表明,SLD 输出波长随温度的漂移系数为
0.35nm/ 益,其输出波长随注入电流的漂移对温度并不敏感.在25益、100 mA 注入电流下SLD 的-3 dB调制带宽
达到1.7GHz,尾纤输出功率2.5mW,相应的光谱半宽为24nm,光谱波纹为0.15dB.
关摇 键摇 词:超辐射发光二极管;1053nm;调制带宽
中图分类号:TN248.4;TN365摇 摇 文献标识码:A
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